芯片封裝是指安裝半導體集成電路芯片用的外殼。利用一系列技術(shù)，將芯片在框架上布局粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。此概念為狹義的封裝定義。通俗的說就是給芯片加一個外殼并固定在電路板上。

更廣義的封裝是指封裝工程，將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個系統(tǒng)綜合性能的工程。將前面的兩個定義結(jié)合起來構(gòu)成廣義的封裝概念。

芯片封裝是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁，同時還可以起到安放、固定、密封、保護芯片和增強電熱性能的作用，是半導體制造業(yè)的核心技術(shù)。

芯片封裝的四個階段

 第一階段芯片封裝

20世紀70年代是通孔插裝時代，以雙列直插封裝（DIP）為代表，DIP適合在印刷電路板上穿孔焊接，操作方便。在衡量一個芯片封裝技術(shù)是否先進的重要指標是芯片面積和封裝面積之比越接近于1，這種封裝技術(shù)越先進。DIP封裝因為芯片面積和封裝面積之比相差大，故封裝完成后體積也比較大，因此在無法滿足小型化等要求的情況下而逐步被淘汰。

第二階段芯片封裝

20世紀80年代是表面貼裝時代，以薄型小尺寸封裝技術(shù)（TSOP）為代表，到目前為止依然保留著內(nèi)存封裝的主流地位。改進的TSOP技術(shù)依然被三星、現(xiàn)代、Kingston等內(nèi)存制造商所采用。

第三階段芯片封裝

20世紀90年代出現(xiàn)了跨越式發(fā)展，進入了面積陣列封裝時代，該階段出現(xiàn)了球柵陣列封裝（BGA）為代表的先進封裝技術(shù)，這種技術(shù)在縮減體積的同時提高了系統(tǒng)性能。其次還有芯片尺寸封裝（CSP）、無引線四邊扁平封裝（PQFN）、多芯片組件（MCM）。BGA技術(shù)的成功開發(fā)，讓一直落后于芯片發(fā)展的封裝終于追上了芯片發(fā)展的步伐，CSP技術(shù)解決了長期存在的芯片小，封裝大的矛盾，引發(fā)了集成電路封裝領(lǐng)域的技術(shù)革命。

第四階段芯片封裝

進入21世紀，封裝技術(shù)迎來了三維封裝、系統(tǒng)級封裝的時代。它在封裝觀念上發(fā)生了革命性的變化，從原來的封裝元件概念演變成封裝系統(tǒng)，主要有系統(tǒng)級芯片封裝（SoC）、微機電系統(tǒng)封裝（MEMS）。

從材料介質(zhì)方面，半導體封裝包括金屬、塑料、陶瓷、玻璃等。在軍工和航天方面，由于芯片工作環(huán)境惡劣，所以大部分采用的是金屬封裝。陶瓷封裝在電、熱、機械等特性方面極其穩(wěn)定，并且有較好的氣密性保護和優(yōu)良的可靠度，但與塑料封裝相比，它的工藝溫度和成本都較高。

芯片封裝清洗

芯片封裝清洗：合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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