一、我國(guó)硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)

（1）產(chǎn)業(yè)環(huán)境發(fā)生重大變化。美國(guó)芯片法案和出口管制新規(guī)陸續(xù)出臺(tái)，先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備和技術(shù)受到嚴(yán)格管制。歷史上半導(dǎo)體硅片一直是全球市場(chǎng)、需求端和供應(yīng)端互相依存，從硅片制造來(lái)看，供應(yīng)我國(guó)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)所需關(guān)鍵檢測(cè)設(shè)備、關(guān)鍵零部件、關(guān)鍵原輔材料供應(yīng)可能受影響，關(guān)鍵人才引進(jìn)難度更大，同時(shí)產(chǎn)品進(jìn)入美國(guó)等供應(yīng)體系預(yù)計(jì)將受到較大限制，國(guó)內(nèi)硅片企業(yè)在國(guó)際上的競(jìng)爭(zhēng)力受到影響。

（2）國(guó)內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術(shù)水平、盈利能力等方面與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)仍存在很大差距。從產(chǎn)業(yè)規(guī)?？?，國(guó)外主要企業(yè)的12 in硅片產(chǎn)能在1×106片/月以上，其中日本信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社的產(chǎn)能達(dá)到3.1×106片/月，而且連續(xù)多年穩(wěn)定出貨，技術(shù)水平可以覆蓋全部下游技術(shù)節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)品種類包括拋光片、外延片、退火片等，可以滿足所有半導(dǎo)體產(chǎn)品需要，綜合毛利率長(zhǎng)期保持在40%以上，具有穩(wěn)定良好的盈利能力。截至2022年年底，國(guó)內(nèi)企業(yè)目前單一產(chǎn)出不超過(guò)3×105片/月，先進(jìn)制程產(chǎn)品仍以研發(fā)為主，技術(shù)水平與國(guó)外領(lǐng)先水平尚有較大差距，產(chǎn)品品種少，質(zhì)量穩(wěn)定性仍需提高，中國(guó)企業(yè)的12 in硅片尚未進(jìn)入三星等全球前10的半導(dǎo)體芯片制造公司。與此同時(shí)，12 in硅片公司大多仍處于虧損狀態(tài)，尚不具備良好的回報(bào)，盈利能力不強(qiáng)。

（3）12 in硅片投資大、產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)，產(chǎn)能爬坡速度慢，企業(yè)經(jīng)營(yíng)面臨較大壓力。按照目前的投資測(cè)算，建設(shè)3×105片12 in硅片生產(chǎn)線須投入60億元以上資金，同時(shí)產(chǎn)品驗(yàn)證、產(chǎn)能爬坡需要幾年時(shí)間，企業(yè)需要承擔(dān)較長(zhǎng)時(shí)間虧損，達(dá)產(chǎn)之后銷售收入僅可達(dá)到20多億元，折舊費(fèi)用高，盈利水平不強(qiáng)。與此同時(shí)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性強(qiáng)，當(dāng)面臨半導(dǎo)體下行周期時(shí)，企業(yè)經(jīng)營(yíng)壓力更大，存在長(zhǎng)期虧損的風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)企業(yè)綜合經(jīng)營(yíng)能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力有極高的要求。

（4）產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)仍存短板，尤其12 in硅片制造所需關(guān)鍵顆粒測(cè)試設(shè)備、最終拋光液、包裝片盒等關(guān)鍵設(shè)備和原輔材料依然依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)企業(yè)差距大，存在被“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈安全存在一定風(fēng)險(xiǎn)，這些因素也導(dǎo)致12 in硅片產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)投資大、運(yùn)行成本高。已國(guó)產(chǎn)化設(shè)備、原輔材料的質(zhì)量性能仍有差距，在12 in硅片產(chǎn)線的推廣使用少，制約國(guó)內(nèi)12 in硅片產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。

二、半導(dǎo)體晶圓芯片清洗

先進(jìn)封裝-晶圓級(jí)WLP微球植球后清洗：

先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤上的污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

針對(duì)先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗(yàn)，對(duì)于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對(duì)應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測(cè)試過(guò)的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測(cè)試過(guò)的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

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