2層晶體管像素技術(shù)是堆疊式 CMOS 圖像傳感器的進(jìn)步，它由一個像素芯片組成，該像素芯片由堆疊在形成信號處理電路的邏輯芯片之上的背照式像素組成。在傳統(tǒng)的堆疊式 CMOS 圖像傳感器中，光電二極管和像素晶體管并排放置在同一基板上。SSS 使用其專有的堆疊技術(shù)創(chuàng)建了一種結(jié)構(gòu)，其中用于將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的光電二極管和位于單獨基板上的像素晶體管用于控制一個位于另一個之上的信號。

新結(jié)構(gòu)提高了光電二極管的容量，同時通過將光電二極管和像素晶體管堆疊在單獨的基板層上，使飽和信號電平相對于傳統(tǒng)圖像傳感器大約翻了一番。反過來，這將擴(kuò)大動態(tài)范圍——相機(jī)可以捕捉到的從暗到亮的色調(diào)范圍。

此外，用于像素晶體管的無光電二極管基板可以為傳輸門（TRG）以外的像素晶體管提供額外空間，例如復(fù)位晶體管（RST）、選擇晶體管（SEL）和放大晶體管（AMP）。這為放大晶體管創(chuàng)造了更大的可用區(qū)域，從而成功地顯著降低了夜間和其他暗處圖像容易產(chǎn)生的噪聲。

索尼表示，傳統(tǒng) CMOS 圖像傳感器的光電二極管和像素晶體管占據(jù)同一襯底層，而公司的新設(shè)計則將光電二極管和像素晶體管分離到兩個不同的襯底層中。通過拆分層，光電二極管可以更大，從而產(chǎn)生更高的信號飽和水平（也稱為全阱容量），而更大的晶體管會產(chǎn)生更少的噪聲。這一結(jié)果具有雙重優(yōu)勢，既可以增加動態(tài)范圍，又可以降低噪聲。

從工程和制造的角度來看，2 層晶體管像素設(shè)計需要納米級的精度來布置光電二極管和像素晶體管。索尼采用了 3D 順序集成工藝，而不是傳統(tǒng)的完整晶圓鍵合工藝。光電二極管形成后，將兩層粘合在一起，然后光電二極管用于排列第二層晶體管的創(chuàng)建。正如索尼所說，對準(zhǔn)精度取決于光刻而不是鍵合。

該工藝包括其自身的挑戰(zhàn)，包括堆疊晶圓后生產(chǎn)過程中的熱量。傳統(tǒng)的 CMOS 傳感器生產(chǎn)需要大約 400°C 的耐熱性，而新設(shè)計需要更高的耐熱性，超過 1,000°C。為了解決這個問題，索尼開發(fā)了新的鍵合技術(shù)并制造了晶體管來適應(yīng)。

通過為每個 photosite 分離光電二極管和晶體管像素，索尼的工程師能夠分別優(yōu)化組件，從而提高噪聲性能和動態(tài)范圍。除了圖像質(zhì)量之外，新設(shè)計還承諾研發(fā)團(tuán)隊正在努力進(jìn)行其他改進(jìn)。

圖像傳感器芯片封裝清洗

芯片封裝清洗：合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。