芯片制造流程之晶圓的制備
芯片制造流程之晶圓的制備
半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)是硅元素,而自然界中硅含量最高、最容易獲得的便是無窮無盡的沙子(其主要化學(xué)成分為二氧化硅)。沙子是廉價的,但是將其轉(zhuǎn)變成昂貴的半導(dǎo)體級硅的過程無比復(fù)雜。在芯片制造過程中,使用的硅一般是以硅晶圓(即圓形的硅片)的形式存在。
今天小編就給大家分享一篇關(guān)于芯片制造過程中晶圓制備的相關(guān)內(nèi)容,希望能對您有所幫助!
晶圓的制備分為四個階段:
1、礦石到高純氣體的轉(zhuǎn)變
在這一階段中,硅礦石與化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),形成硅化物氣體,如四氯硅烷(SiCl4)或三氯硅烷(SiHCl3),而其他金屬的氯化物則為固體,留在殘渣中,從而完成了硅的提純。
2、氣體到多晶的轉(zhuǎn)變
硅烷氣體與氫氣發(fā)生反應(yīng),被還原成半導(dǎo)體級的硅,這樣的硅純度高達99.9999999%,是地球上最純的物質(zhì)之一。但是此時得到的硅是以多晶的形式存在。
3、多晶到單晶、摻雜晶棒的轉(zhuǎn)變
在芯片中所需要的硅是單晶硅,因此需要將多晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉Ч?。生長單晶硅一般有三種方法:直拉法、液體掩蓋直拉法和區(qū)熔法。
4、晶棒到晶圓的制備
晶體從單晶爐里出來以后,首先會使用鋸子鋸掉首尾,然后在滾磨機上滾磨到合適的直徑,在通過X射線定好晶向后,沿著其軸向滾磨出一個參考面。
最后,使用有金剛石涂層的內(nèi)圓刀片或者線切割把晶圓從晶體上切下來。接下來,將會使用磨片和化學(xué)機械拋光(CMP)的方法對晶圓表面進行平整和拋光。晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進行氧化,氧化層用以保護晶圓表面,防止在運輸過程中的劃傷和污染。
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