IGBT的定義:IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是具有高電流、高電壓、高效率的半導(dǎo)體電源控制元件，也是一種電···
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為···
在電力電子設(shè)計(jì)中，開發(fā)人員不斷尋找傳統(tǒng)功率 MOSFET 的新替代品。在這一追求中，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵···
安世Nexperia半導(dǎo)體 IGBT功率器件清洗 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 傳統(tǒng)功率 MOSFET
中國汽車IGBT市場情況隨著國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈上游大有逐步完成國產(chǎn)替代，甚至引領(lǐng)世···
目前殼封工藝的模塊基本結(jié)構(gòu)都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下：貼片→真空回流焊接→超聲波清洗···
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型···
IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，B···
IGBT功率器件行業(yè)技術(shù)門檻與競爭格局IGBT功率器件主要玩家為英飛凌、富士電機(jī)、安森美等歐美日大廠，集···
