PoP堆疊芯片清洗

(2D/2.5D/3D集成）PoP堆疊芯片清洗：PoP堆疊芯片在mm級別間距進(jìn)行焊接，助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì)，較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間，影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除，清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片，達(dá)到將殘留帶離的目的。合明科技研發(fā)的清洗劑具有卓越的滲入能力，以確保芯片間殘留活性劑被徹底清除。

合明科技為您提供PoP堆疊芯片水基清洗全工藝解決方案。

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合明PoP堆疊芯片清洗工藝優(yōu)勢

1. PH 值呈中性
2. 對鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出絕佳的材料兼容性。
3. 用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡，可適用于噴淋、超聲工藝。
4. 不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無閃點，使用安全，不需要額外的防爆措施。
5. 由于 PH 中性，減輕污水處理難度。

PoP堆疊芯片清洗推薦產(chǎn)品

W3210 W3800 W3805 W3000D-2 W3100

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PoP堆疊芯片清洗應(yīng)用

用于去除PCBA、封裝器件、功率電子上的助焊劑、焊錫膏、錫膏殘留。該產(chǎn)品能夠有效去除多種半導(dǎo)體電子器件上的錫膏、焊錫膏、助焊劑殘留，對于倒裝芯片、半導(dǎo)體封裝水基環(huán)保清洗、PoP堆疊芯片、SIP系統(tǒng)封裝、半導(dǎo)體芯片、半導(dǎo)體功率器件、功率模塊（光電模塊、傳感模塊、通訊模塊）、功率電子、IGBT功率模塊、DCB功率清洗、引線框架、BGA植球后清洗、分立器件、電子元器件等有著卓越的清洗效果。

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PoP堆疊芯片清洗

合明PoP堆疊芯片清洗工藝優(yōu)勢

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