因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
為了解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展、補(bǔ)齊技術(shù)短板、實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代、降低生產(chǎn)成本等等需求,滿足新能源、光伏儲(chǔ)能、軌道交通、充電樁、工業(yè)控制、變配電等領(lǐng)域的應(yīng)用,IGBT模塊成為目前半導(dǎo)體封裝范籌中的市場(chǎng)熱點(diǎn)。
近幾年,終端應(yīng)用帶動(dòng)IGBT模塊國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)形勢(shì)的快速發(fā)展,眾多企業(yè)涌入其中,雖然IGBT模塊在不同的應(yīng)用領(lǐng)域有不同個(gè)性化的技術(shù)要求,但對(duì)于IGBT模塊生產(chǎn)制程工藝層面,基本上能維持許多相同的技術(shù)要求和標(biāo)準(zhǔn),只是方法、路徑、方式各不相同,綜合諸多影響因素,各家企業(yè)根據(jù)各自的狀況做出符合個(gè)自發(fā)展需要的選擇。
IGBT模塊的工藝制程中必然不可缺少制程工藝清洗,以各種工藝方式不同選擇包括溶劑清洗、半水基清洗、水基清洗、雙溶劑清洗等等,IGBT模塊清洗目的是去除焊劑殘留物及附著的各種有機(jī)物和無(wú)機(jī)污染物,去除金屬表面、芯片表面氧化層,保證表面的潔凈度和低氧化狀態(tài),為后續(xù)工藝邦定打下良好的表面基礎(chǔ),提高邦定可靠性。
IGBT模塊水基清洗的技術(shù)要點(diǎn)
清洗干凈
對(duì)高密度、小間隙的芯片焊接和燒結(jié)污染物清洗干凈,避免殘留物引起氧化、腐蝕、短路、漏電等風(fēng)險(xiǎn),保障IGBT的高壽命要求。
去氧化
去除表面氧化及延緩二次自然氧化,保持去氧化狀態(tài)3-5天,保障鍵合點(diǎn)在后續(xù)的引線鍵合或引腳連接的鍵合良率。
兼容性
通過極限條件去驗(yàn)證對(duì)敏感金屬、功能材料、設(shè)備材料的兼容性。
IGBT模塊在清洗制程中建議采用在線通過式水基清洗工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn),IGBT模塊清洗材料推薦合明科技水基清洗劑W3000系列。
IGBT模塊在線通過式噴淋水基清洗工藝制程優(yōu)勢(shì)
1、產(chǎn)品品質(zhì)可靠,工藝穩(wěn)定,一致性好。
2、全制程安全環(huán)保。
3、運(yùn)行成本較低。
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