一、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片發(fā)展現(xiàn)狀

存儲(chǔ)芯片又稱半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最廣的核心零部件之一，可存儲(chǔ)程序代碼以處理各類數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)數(shù)據(jù)處理過程中的中間數(shù)據(jù)和最終結(jié)果，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤等領(lǐng)域，是基礎(chǔ)性通用集成電路產(chǎn)品。

在國(guó)家政策大力支持下，我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展迅速。國(guó)家在2022年1月發(fā)布的《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃的通知》，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展有促進(jìn)作用，刺激企業(yè)提升自主研發(fā)能力、提高國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器企業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。

從產(chǎn)業(yè)鏈來看，上游主要是硅片、光刻膠、靶材和拋光材料等原材料和光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)企業(yè)；中游為各類存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品；下游應(yīng)用場(chǎng)景廣闊，涵蓋消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子和高新科技等領(lǐng)域。

目前，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為代表的本土存儲(chǔ)器廠商在產(chǎn)品技術(shù)和市場(chǎng)拓展方面持續(xù)突破和大力投入，推動(dòng)著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)加速發(fā)展。例如長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層NAND閃存已經(jīng)量產(chǎn)，并且已向少數(shù)客戶交付了其內(nèi)部開發(fā)的192層3D NAND閃存樣品；長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DRAM方面雖然與國(guó)際大廠仍有差距，但也在不斷發(fā)展，目前處于1Xnm（16nm - 19nm）階段。

然而，與國(guó)際領(lǐng)先水平相比，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片仍存在一定差距。在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，像DRAM市場(chǎng)被三星、SK海力士、美光占據(jù)絕大部分份額；NAND Flash市場(chǎng)由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠主導(dǎo)，中國(guó)大陸企業(yè)市場(chǎng)份額較低。

二、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模

在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，存儲(chǔ)芯片一直是集成電路市場(chǎng)份額占比最大的產(chǎn)品類別。2021年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)5494億元，受存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲影響，規(guī)模進(jìn)一步提升。據(jù)預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模2023年有望達(dá)5400億元。2024年，由于全球存儲(chǔ)渠道行情整體向上，市場(chǎng)需求大幅提升，DRAM市場(chǎng)規(guī)模將增至780億美元，這也會(huì)對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模產(chǎn)生積極影響。

從投融資方面看，我國(guó)存儲(chǔ)芯片投融資較為活躍，2022年存儲(chǔ)芯片投融資事件16起，投融資金額58.23億元。預(yù)計(jì)2023年存儲(chǔ)芯片投融資事件18起，投融資金額75億元，這表明市場(chǎng)對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展的看好，也為行業(yè)發(fā)展提供了資金支持，有助于進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。

三、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)特點(diǎn)

• 技術(shù)追趕與突破

• 在NAND閃存技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得了顯著成果。國(guó)外先進(jìn)廠商如三星等在NAND閃存技術(shù)上不斷發(fā)展，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了較高層數(shù)的堆疊量產(chǎn)，如176層閃存，美光甚至宣布了232層3D NAND存儲(chǔ)解決方案。而長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存已經(jīng)量產(chǎn)，并且已向少數(shù)客戶交付192層3D NAND閃存樣品，體現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在技術(shù)上的追趕態(tài)勢(shì)，不斷縮小與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距。

• 在DRAM技術(shù)上，國(guó)際大廠三星、SK海力士、美光制程工藝較為先進(jìn)，已進(jìn)入1anm（10nm）的研發(fā)階段，而國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)目前處于1Xnm（16nm - 19nm）階段。雖然存在差距，但也在努力發(fā)展，從無到有逐步提升技術(shù)水平。

• 創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用

• 一些國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新上有所突破。例如新存科技發(fā)布的NM101芯片采用了創(chuàng)新的三維堆疊技術(shù)，基于新型材料電阻變化的原理，利用先進(jìn)工藝制程，在單顆芯片上集成了百億數(shù)量的非易失性存儲(chǔ)器件，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)架構(gòu)上的重大突破。該芯片與市場(chǎng)上大容量非易失性產(chǎn)品相比，單顆芯片容量達(dá)64Gb，支持隨機(jī)讀寫，較市面已有大容量非易失性產(chǎn)品讀寫均提速10倍以上的同時(shí)壽命也增加了5倍，展現(xiàn)出了獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

四、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片主要廠商

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地，主要生產(chǎn)3D NAND閃存。在技術(shù)研發(fā)上成果顯著，如128層NAND閃存已經(jīng)量產(chǎn)，并且在向更先進(jìn)的技術(shù)層級(jí)探索，已向少數(shù)客戶交付192層3D NAND閃存樣品，這使其在國(guó)內(nèi)NAND閃存領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，也提升了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在全球市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

• 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

• 在DRAM領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)能不斷提升，2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。雖然與國(guó)際DRAM大廠在制程工藝上存在差距，但長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的發(fā)展為國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，減少了對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的依賴。

• 得一微電子

• 成立于2017年，是全球重要的閃存控制芯片供應(yīng)商?？偛吭O(shè)在深圳，主要為行業(yè)客戶提供存儲(chǔ)控制芯片、工業(yè)用存儲(chǔ)模組、IP及設(shè)計(jì)服務(wù)在內(nèi)的一站式存儲(chǔ)解決方案，產(chǎn)品覆蓋消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)、工業(yè)級(jí)、汽車級(jí)應(yīng)用。其建立了通用存儲(chǔ)(USB/SD)、嵌入式存儲(chǔ)(UFS/eMMC/SPI - NAND)和SSD存儲(chǔ)(SATA/PCIe)的完整存儲(chǔ)產(chǎn)品線，累計(jì)出貨超10億套，并且其存儲(chǔ)控制芯片已全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷代NAND Flash顆粒。

除了上述廠商外，根據(jù)2022年的調(diào)研分析報(bào)告，國(guó)內(nèi)還有眾多存儲(chǔ)器IDM和fabless廠商、存儲(chǔ)主控芯片廠商以及存儲(chǔ)產(chǎn)品相關(guān)廠商，共梳理出30家國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器及主控芯片廠商，這些廠商在存儲(chǔ)芯片行業(yè)的不同領(lǐng)域發(fā)揮著各自的作用。

五、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片未來趨勢(shì)

• 市場(chǎng)份額提升空間大

• 從各細(xì)分產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來看，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)集中度較高。2021年，全球DRAM市場(chǎng)中三星、SK海力士、美光市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)到94%；NAND Flash市場(chǎng)由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠占據(jù)超過95%的份額，而中國(guó)大陸企業(yè)市場(chǎng)份額較低，這意味著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商有著巨大的替代空間。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片有望逐步搶占更多的市場(chǎng)份額。

• 技術(shù)長(zhǎng)期共存發(fā)展

• EEPROM、NOR Flash和NAND Flash三類技術(shù)已發(fā)展成為非易失性存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的成熟技術(shù)，在不同容量區(qū)間具備性能和成本的優(yōu)勢(shì)，滿足了不同應(yīng)用領(lǐng)域的存儲(chǔ)需求。EEPROM在1Mbit及以下容量區(qū)間性價(jià)比高，用于存儲(chǔ)小規(guī)模、經(jīng)常需要修改的數(shù)據(jù)；NOR Flash在512Kbit - 1Gbit容量區(qū)間性價(jià)比高，用于中低容量的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)；NAND Flash主要用于1Gbit - 6Tbit的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。這三類技術(shù)將在市場(chǎng)上長(zhǎng)期共存，共同推動(dòng)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片也將在這一技術(shù)格局下不斷發(fā)展，針對(duì)不同需求進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。

• 下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)發(fā)展

• 隨著AI技術(shù)的爆發(fā)式發(fā)展、5G通信的普及、云計(jì)算的發(fā)展以及汽車電子等領(lǐng)域的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求呈現(xiàn)出顯著的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。例如汽車行業(yè)正在發(fā)生變化，電動(dòng)化趨勢(shì)下行業(yè)進(jìn)入大模塊化、中央集成化時(shí)代，ADAS進(jìn)入質(zhì)變階段，汽車對(duì)存儲(chǔ)的性能和容量要求急劇加大，單車存儲(chǔ)容量將很快進(jìn)入TB時(shí)代，這將為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片帶來新的市場(chǎng)機(jī)遇，促使國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)加大在這些領(lǐng)域的研發(fā)和市場(chǎng)拓展力度。

六、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片面臨的挑戰(zhàn)

• 技術(shù)瓶頸

• 當(dāng)半導(dǎo)體制程走到14nm以下，半導(dǎo)體工藝遷移到Fin - FET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）后，該技術(shù)無法直接套用在既有的一些嵌入式存儲(chǔ)元件上，這對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能提升造成了技術(shù)障礙。而且，未來人工智能（AI）及邊緣計(jì)算（Edge Computing）等高計(jì)算能力的需求使得現(xiàn)存高容量存儲(chǔ)器，如DRAM、NAND閃存的高耗電及速度問題已無法跟上需求的腳步。隨著存儲(chǔ)器密度不斷提高，基本元件尺寸不斷縮小，CPU對(duì)存儲(chǔ)器容量需求不斷增加，這些問題在未來將會(huì)越來越嚴(yán)重，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片同樣面臨這些技術(shù)挑戰(zhàn)。

• 市場(chǎng)份額低

• 在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)中，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的市場(chǎng)份額較低。如在DRAM和NAND Flash市場(chǎng)，國(guó)際大廠占據(jù)了絕大部分市場(chǎng)份額，這使得國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中面臨巨大壓力。盡管市場(chǎng)份額低意味著有較大的增長(zhǎng)空間，但要從國(guó)際大廠手中搶奪份額并非易事，需要在技術(shù)、成本、市場(chǎng)等多方面具備強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。

• 依賴進(jìn)口

• 中國(guó)在芯片進(jìn)口方面投入巨大，雖然2023年進(jìn)口金額有所減少，但存儲(chǔ)芯片仍然依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片自給率較低。這種依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀使得國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)在國(guó)際貿(mào)易摩擦、供應(yīng)短缺等情況下容易受到?jīng)_擊，對(duì)產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展構(gòu)成威脅。

• 產(chǎn)能與需求差距

• 目前國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片存在產(chǎn)能和需求之間的差距問題。例如三星等存儲(chǔ)芯片巨頭宣布業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)背后是存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅上漲，而國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能可能無法滿足市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，這可能導(dǎo)致市場(chǎng)份額難以提升，并且在市場(chǎng)波動(dòng)時(shí)難以靈活應(yīng)對(duì)，影響產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

七、芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。