一、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)現(xiàn)狀

（一）定義與分類(lèi)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般指半導(dǎo)體集成存儲(chǔ)器，是用半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。由大量相同的存儲(chǔ)單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。按功能的不同，可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和串行存儲(chǔ)器三大類(lèi)。其中RAM又可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)；ROM也有多種類(lèi)型，如可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)等。而根據(jù)斷電后信息是否保留，存儲(chǔ)器還分為易失性(VM)存儲(chǔ)器與非易失性(NVM)存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器如DRAM和SRAM，斷電后無(wú)法保留數(shù)據(jù)，非易失性存儲(chǔ)器如NANDFlash和NORFlash，斷電后仍能保留數(shù)據(jù)。

（二）市場(chǎng)規(guī)模

近年來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模整體呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，2018年達(dá)到近年峰值為5775億元，2021年中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模為5494億元，同比上升7.16%，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到近3000億元。中國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來(lái)都是存儲(chǔ)器產(chǎn)品最大的需求市場(chǎng)，2024年中國(guó)大陸地區(qū)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模為2843億元（約400億美元）。

（三）應(yīng)用領(lǐng)域

1. 智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)

• 在移動(dòng)通信技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)加速普及的背景下，智能手機(jī)和平板電腦行業(yè)是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)下游最重要的細(xì)分市場(chǎng)之一。雖然近幾年中國(guó)智能手機(jī)行業(yè)出貨量整體不斷下降，但隨著5G換新及居民消費(fèi)水平的提升，中國(guó)智能手機(jī)行業(yè)將從增量向存量方向發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求長(zhǎng)期存在。2021年中國(guó)智能手機(jī)出貨量為3.43億臺(tái)，同比增長(zhǎng)3.94%，市場(chǎng)出現(xiàn)回暖。同時(shí)，5G通信技術(shù)的發(fā)展極大提高了信息傳輸?shù)乃俾?，也帶?dòng)了信息存儲(chǔ)容量的擴(kuò)增，未來(lái)5G手機(jī)的平均存儲(chǔ)容量將進(jìn)一步提升。2021年，中國(guó)平板電腦出貨量達(dá)到0.28億臺(tái)。

2. 可穿戴設(shè)備市場(chǎng)

• 智能可穿戴設(shè)備是綜合運(yùn)用各類(lèi)識(shí)別、傳感、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)用戶交互、生活?yuàn)蕵?lè)、人體監(jiān)測(cè)等功能的智能設(shè)備，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是其重要組成部分，很大程度上影響穿戴設(shè)備的性能、尺寸和續(xù)航能力。隨著智能可穿戴設(shè)備行業(yè)在各垂直領(lǐng)域應(yīng)用程度的加深，行業(yè)持續(xù)擴(kuò)容，對(duì)存儲(chǔ)器的需求也顯著增長(zhǎng)。2021年，中國(guó)可穿戴市場(chǎng)出貨量近1.4億臺(tái)，同比增長(zhǎng)25.4%。

3. 智能汽車(chē)市場(chǎng)

• 隨著智能化程度的不斷加深、國(guó)家政策扶持力度的不斷加大以及相關(guān)技術(shù)的日趨成熟，汽車(chē)正逐步完成由交通工具到移動(dòng)終端的轉(zhuǎn)變，給存儲(chǔ)行業(yè)帶來(lái)新的市場(chǎng)機(jī)遇。2020年，中國(guó)智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)數(shù)量超千萬(wàn)輛，約為1306萬(wàn)輛，產(chǎn)業(yè)正處于加速發(fā)展階段。

4. 其他領(lǐng)域

• 在中國(guó)互聯(lián)網(wǎng) +、大力發(fā)展新一代信息技術(shù)和不斷加強(qiáng)先進(jìn)制造業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略指引下，國(guó)內(nèi)信息化、數(shù)字化、智能化進(jìn)程加快，用戶側(cè)的視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用和制造側(cè)的工業(yè)智能化逐漸普及，刺激存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)。此外，5G、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新一代信息技術(shù)在中國(guó)大規(guī)模開(kāi)發(fā)及應(yīng)用，也催生了我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的強(qiáng)勁需求。

（四）產(chǎn)業(yè)鏈情況

1. 設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)

• 國(guó)內(nèi)有一些企業(yè)在存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)方面取得了進(jìn)展，例如東芯股份是大陸領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司，聚焦于中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，是大陸少數(shù)可以同時(shí)提供NAND、NOR、DRAM等主要存儲(chǔ)芯片完整解決方案的公司。

2. 制造環(huán)節(jié)

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等是國(guó)內(nèi)在存儲(chǔ)芯片制造方面較有代表性的企業(yè)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3DNAND技術(shù)方面取得了重要突破，合肥長(zhǎng)鑫在DRAM技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)上也在不斷努力追趕國(guó)際先進(jìn)水平。

3. 封測(cè)環(huán)節(jié)

• 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的封測(cè)環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)也有企業(yè)參與。并且在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中，模組的生產(chǎn)也是必要環(huán)節(jié)，例如在DRAM模組方面，國(guó)外的Kingston占據(jù)了絕對(duì)統(tǒng)治地位；NAND方面，三星在閃存顆粒上優(yōu)勢(shì)明顯，市占率領(lǐng)先，但我國(guó)的江波龍也有一定份額。此外，閃存盤(pán)離不開(kāi)控制器的輔助，第三方廠商如群聯(lián)、慧榮、Marvell都有著穩(wěn)固的市場(chǎng)地位，我國(guó)的江波龍也在其中有一定的市場(chǎng)份額。

二、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

（一）技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1. 制程工藝改進(jìn)

• 在主流的存儲(chǔ)芯片技術(shù)方面，DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑是以微縮制程來(lái)提高存儲(chǔ)密度。不過(guò)制程工藝進(jìn)入20nm之后，制造難度大幅提升，DRAM芯片廠商對(duì)工藝的定義從具體的線寬轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰唧w制程范圍內(nèi)提升二或三代技術(shù)來(lái)提高存儲(chǔ)密度。而中國(guó)DRAM技術(shù)比較落后，目前還停留在1xnm制程。NAND芯片制程已經(jīng)達(dá)到極限，技術(shù)趨勢(shì)從2D轉(zhuǎn)向3D，通過(guò)增加芯片堆疊層數(shù)獲得更大容量。目前，三星、海力士、美光的3DNAND技術(shù)均已達(dá)到128L，長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅達(dá)到64L，國(guó)內(nèi)企業(yè)在這方面還有很大的追趕空間。

2. 新型存儲(chǔ)介質(zhì)探索

• 新型存儲(chǔ)介質(zhì)結(jié)合了DRAM內(nèi)存的高速存取，以及NAND閃存在關(guān)閉電源之后保留數(shù)據(jù)的特性，可以打破內(nèi)存和閃存的界限，使其合二為一，同時(shí)，新型存儲(chǔ)介質(zhì)功耗更低，壽命更長(zhǎng)，速度更快，被業(yè)界視為未來(lái)閃存和內(nèi)存的替代品。但新型存儲(chǔ)介質(zhì)產(chǎn)業(yè)尚未成熟，相對(duì)于傳統(tǒng)的DRAM芯片和NAND芯片，新型存儲(chǔ)介質(zhì)的產(chǎn)品路線不夠明朗，技術(shù)路線尚不明確，新型存儲(chǔ)介質(zhì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。

• 
  

（二）應(yīng)用拓展趨勢(shì)

1. 新興技術(shù)帶動(dòng)

• 隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求將不斷增加，并且對(duì)存儲(chǔ)的速度、容量、安全性等方面都提出了更高的要求。例如在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，隨著數(shù)據(jù)量的爆炸式增長(zhǎng)，需要大量的存儲(chǔ)半導(dǎo)體來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，眾多的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備也需要存儲(chǔ)芯片來(lái)存儲(chǔ)設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)、用戶數(shù)據(jù)等。

2. 消費(fèi)電子升級(jí)

• 在消費(fèi)電子領(lǐng)域，如智能手機(jī)和平板電腦，隨著功能的不斷增加，如高清視頻拍攝、大型游戲運(yùn)行等，需要更大的存儲(chǔ)容量和更快的存儲(chǔ)速度。可穿戴設(shè)備的功能也在不斷拓展，如健康監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的長(zhǎng)期存儲(chǔ)和分析等，這都將推動(dòng)存儲(chǔ)半導(dǎo)體在消費(fèi)電子領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用。

3. 汽車(chē)電子發(fā)展

• 汽車(chē)向智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)聯(lián)化方向發(fā)展，汽車(chē)電子系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜，需要存儲(chǔ)半導(dǎo)體來(lái)存儲(chǔ)車(chē)輛的運(yùn)行數(shù)據(jù)、地圖數(shù)據(jù)、自動(dòng)駕駛相關(guān)數(shù)據(jù)等。例如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）需要存儲(chǔ)大量的傳感器數(shù)據(jù)用于實(shí)時(shí)分析，智能座艙系統(tǒng)也需要存儲(chǔ)用戶的偏好設(shè)置、娛樂(lè)內(nèi)容等數(shù)據(jù)。

（三）產(chǎn)業(yè)整合趨勢(shì)

1. 企業(yè)并購(gòu)與合作增加

• 在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，為了提升技術(shù)水平、擴(kuò)大市場(chǎng)份額、降低成本等目的，企業(yè)之間的并購(gòu)與合作可能會(huì)增加。例如通過(guò)并購(gòu)可以獲取對(duì)方的技術(shù)、人才、生產(chǎn)線等資源，實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。企業(yè)之間的合作可以包括技術(shù)研發(fā)合作、生產(chǎn)合作等，共同應(yīng)對(duì)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)壓力。

2. 產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同加強(qiáng)

• 存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈較長(zhǎng)，從原材料供應(yīng)到芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)，再到下游應(yīng)用。未來(lái)上下游企業(yè)之間的協(xié)同合作將更加緊密。例如芯片設(shè)計(jì)企業(yè)與制造企業(yè)之間加強(qiáng)溝通，根據(jù)制造工藝的特點(diǎn)來(lái)優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，封測(cè)企業(yè)與芯片制造企業(yè)合作，提高封裝測(cè)試效率和質(zhì)量，同時(shí)下游應(yīng)用企業(yè)也可以向上游企業(yè)反饋需求，促進(jìn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)品更好地滿足市場(chǎng)需求。

三、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

（一）國(guó)內(nèi)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

1. 領(lǐng)先企業(yè)

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、兆易創(chuàng)新等是國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3DNAND技術(shù)方面取得了重要突破，在國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域具有重要地位；合肥長(zhǎng)鑫在DRAM技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)上不斷努力追趕國(guó)際先進(jìn)水平；兆易創(chuàng)新在存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)等方面有一定的優(yōu)勢(shì)，例如在NORFlash市場(chǎng)中有一定的布局。

2. 中小企業(yè)

• 除了這些領(lǐng)先企業(yè)，國(guó)內(nèi)還有眾多的中小企業(yè)參與存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)。這些中小企業(yè)在細(xì)分領(lǐng)域或者特定應(yīng)用場(chǎng)景下有一定的競(jìng)爭(zhēng)力，例如在一些中低端存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)，或者針對(duì)特定行業(yè)客戶的定制化存儲(chǔ)解決方案方面，中小企業(yè)可以憑借靈活的經(jīng)營(yíng)策略和成本優(yōu)勢(shì)來(lái)獲取市場(chǎng)份額。不過(guò)，中小企業(yè)在技術(shù)研發(fā)投入、規(guī)模生產(chǎn)等方面相對(duì)較弱，面臨較大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

（二）國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局

1. 國(guó)際巨頭主導(dǎo)

• 在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)，國(guó)際巨頭占據(jù)主導(dǎo)地位。在DRAM市場(chǎng)中，三星、SK海力士和美光三大巨頭占據(jù)了超過(guò)90%的市場(chǎng)份額；在NANDFlash市場(chǎng)中，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和美光等企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，其中三星的市場(chǎng)份額最大。這些國(guó)際巨頭在技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)規(guī)模、市場(chǎng)渠道等方面具有巨大的優(yōu)勢(shì)，它們的技術(shù)創(chuàng)新往往引領(lǐng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展方向，并且憑借大規(guī)模生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)勢(shì)，在全球市場(chǎng)上占據(jù)高端市場(chǎng)份額，對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)形成較大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

2. 國(guó)內(nèi)企業(yè)追趕

• 雖然國(guó)內(nèi)企業(yè)目前在技術(shù)和市場(chǎng)份額等方面與國(guó)際巨頭存在差距，但近年來(lái)國(guó)內(nèi)企業(yè)不斷加大技術(shù)研發(fā)投入，在存儲(chǔ)技術(shù)方面取得了一些進(jìn)展，如長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3DNAND技術(shù)突破等。同時(shí)，國(guó)內(nèi)企業(yè)也在利用國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)需求，通過(guò)本土化優(yōu)勢(shì)逐步擴(kuò)大市場(chǎng)份額，在一些細(xì)分市場(chǎng)或者中低端市場(chǎng)逐漸建立起自己的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，不斷追趕國(guó)際先進(jìn)水平。

（三）競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)

1. 技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)

• 存儲(chǔ)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，技術(shù)水平?jīng)Q定了企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)方面，主要集中在存儲(chǔ)芯片的制程工藝、存儲(chǔ)密度、讀寫(xiě)速度、功耗等性能指標(biāo)上。國(guó)際巨頭不斷投入大量資源進(jìn)行技術(shù)研發(fā)，以保持領(lǐng)先地位，例如在3DNAND和DRAM技術(shù)上不斷突破。國(guó)內(nèi)企業(yè)也在努力提升自己的技術(shù)水平，如提高3DNAND的堆疊層數(shù)、改進(jìn)DRAM的制程工藝等，以縮小與國(guó)際企業(yè)的差距。

2. 市場(chǎng)份額競(jìng)爭(zhēng)

• 市場(chǎng)份額的大小直接關(guān)系到企業(yè)的盈利能力和行業(yè)地位。國(guó)際巨頭通過(guò)品牌優(yōu)勢(shì)、技術(shù)優(yōu)勢(shì)和全球銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)等不斷鞏固和擴(kuò)大市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)企業(yè)則通過(guò)性價(jià)比優(yōu)勢(shì)、本土化服務(wù)等在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)以及部分新興市場(chǎng)與國(guó)際企業(yè)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。例如在國(guó)內(nèi)的智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)通過(guò)提供滿足客戶需求的產(chǎn)品，逐漸提高自己的市場(chǎng)份額。

四、影響國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)前景的因素

（一）技術(shù)因素

1. 技術(shù)研發(fā)能力

• 存儲(chǔ)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)含量高，研發(fā)能力是企業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。目前國(guó)際上在存儲(chǔ)芯片技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位的企業(yè)，如三星、海力士等，它們每年投入大量資金用于研發(fā)。國(guó)內(nèi)企業(yè)雖然在技術(shù)上有所進(jìn)步，但整體研發(fā)能力相對(duì)較弱，例如在DRAM的制程工藝和3DNAND的堆疊層數(shù)等方面與國(guó)際先進(jìn)水平還有差距。如果國(guó)內(nèi)企業(yè)不能持續(xù)提升研發(fā)能力，將難以在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中取得優(yōu)勢(shì)，影響市場(chǎng)前景。

2. 技術(shù)創(chuàng)新速度

• 存儲(chǔ)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新速度快，新的存儲(chǔ)技術(shù)不斷涌現(xiàn)。如新型存儲(chǔ)介質(zhì)的研究，如果國(guó)內(nèi)企業(yè)不能及時(shí)跟上技術(shù)創(chuàng)新的步伐，就可能面臨產(chǎn)品被淘汰的風(fēng)險(xiǎn)。例如，當(dāng)3DNAND技術(shù)逐漸成為主流時(shí)，如果企業(yè)還停留在2D NAND技術(shù)，就會(huì)失去市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，從而影響企業(yè)的生存和發(fā)展，進(jìn)而影響整個(gè)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景。

（二）市場(chǎng)因素

1. 市場(chǎng)需求規(guī)模

• 國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求規(guī)模龐大，這為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)提供了廣闊的發(fā)展空間。隨著中國(guó)互聯(lián)網(wǎng) +、新一代信息技術(shù)的發(fā)展，如5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等，眾多應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求不斷增加。例如，數(shù)據(jù)中心的建設(shè)需要大量的存儲(chǔ)設(shè)備，智能手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)電子設(shè)備的存儲(chǔ)容量需求也在不斷提升。如果市場(chǎng)需求能夠持續(xù)增長(zhǎng)，將有利于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展，反之，如果市場(chǎng)需求萎縮，將對(duì)企業(yè)產(chǎn)生不利影響。

2. 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)程度

• 如前面所述，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，國(guó)際巨頭占據(jù)主導(dǎo)地位。國(guó)內(nèi)企業(yè)面臨著來(lái)自國(guó)際和國(guó)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)壓力。在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)方面，國(guó)際企業(yè)憑借技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢(shì)擠壓國(guó)內(nèi)企業(yè)的市場(chǎng)空間；在國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)方面，眾多國(guó)內(nèi)企業(yè)之間也存在競(jìng)爭(zhēng)。如果國(guó)內(nèi)企業(yè)不能在競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，例如在技術(shù)、成本、服務(wù)等方面建立優(yōu)勢(shì)，就難以在市場(chǎng)中生存和發(fā)展，從而影響國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的前景。

（三）政策因素

1. 國(guó)家政策支持

• 集成電路產(chǎn)業(yè)是中國(guó)戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，近年來(lái)國(guó)家高度重視和大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2014年，國(guó)務(wù)院發(fā)布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出集成電路產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，并設(shè)立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2020年，國(guó)務(wù)院發(fā)布《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，從財(cái)稅、投融資、研究開(kāi)發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等八個(gè)方面制定集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施。這些政策對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了積極的推動(dòng)作用，例如通過(guò)資金支持企業(yè)進(jìn)行技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張等。

2. 貿(mào)易政策影響

• 在國(guó)際貿(mào)易環(huán)境下，貿(mào)易政策對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也有重要影響。例如，近年來(lái)受到國(guó)際芯片制裁等因素影響，國(guó)內(nèi)企業(yè)面臨著技術(shù)封鎖和原材料供應(yīng)受限等問(wèn)題。但同時(shí)，這也促使國(guó)內(nèi)企業(yè)加大自主研發(fā)和國(guó)產(chǎn)替代的力度。如果貿(mào)易政策朝著有利于國(guó)內(nèi)企業(yè)的方向發(fā)展，如放寬技術(shù)出口限制、增加原材料供應(yīng)渠道等，將有助于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展；反之，如果貿(mào)易政策進(jìn)一步收緊，將給國(guó)內(nèi)企業(yè)帶來(lái)更大的挑戰(zhàn)。

五、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)

（一）規(guī)模增長(zhǎng)趨勢(shì)

1. 短期（1 - 2年）

• 從短期來(lái)看，隨著國(guó)內(nèi)5G、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的進(jìn)一步普及，相關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求將繼續(xù)增加。例如，5G手機(jī)的出貨量不斷增長(zhǎng)，其對(duì)存儲(chǔ)容量和速度的要求更高，將推動(dòng)存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)。同時(shí)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)方面的持續(xù)投入也將逐漸轉(zhuǎn)化為產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的提升，從而提高市場(chǎng)份額。預(yù)計(jì)在1 - 2年內(nèi)，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將保持一定的增長(zhǎng)速度，可能達(dá)到年增長(zhǎng)率5% - 10%左右。

2. 中期（3 - 5年）

• 在中期內(nèi)，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興技術(shù)在國(guó)內(nèi)的大規(guī)模應(yīng)用，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)如果能夠抓住機(jī)遇，在技術(shù)上取得進(jìn)一步突破，如在3DNAND技術(shù)上提高堆疊層數(shù)、在DRAM制程工藝上縮小與國(guó)際企業(yè)的差距等，將能夠在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)獲得更大的份額。同時(shí)，國(guó)內(nèi)企業(yè)也可能會(huì)逐步拓展海外市場(chǎng)。預(yù)計(jì)在3 - 5年內(nèi)，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)?？赡軙?huì)以10% - 15%的年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

3. 長(zhǎng)期（5年以上）

• 長(zhǎng)期來(lái)看，隨著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不斷成熟，技術(shù)水平不斷提高，產(chǎn)業(yè)整合不斷加強(qiáng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)更重要的地位。如果國(guó)內(nèi)企業(yè)能夠在新型存儲(chǔ)介質(zhì)等前沿技術(shù)研究方面取得突破，將有可能改變?nèi)虼鎯?chǔ)半導(dǎo)體的市場(chǎng)格局。預(yù)計(jì)5年以上，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)?？赡軙?huì)以15%以上的年增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)，并且在全球市場(chǎng)中的份額也將不斷提高。

（二）技術(shù)突破前景

1. 存儲(chǔ)芯片技術(shù)

• 在存儲(chǔ)芯片技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)企業(yè)有較大的突破潛力。雖然目前在DRAM和3DNAND技術(shù)上與國(guó)際企業(yè)存在差距，但隨著技術(shù)研發(fā)投入的增加和經(jīng)驗(yàn)的積累，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望逐步縮小差距。例如，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3DNAND技術(shù)上已經(jīng)取得了一定的成績(jī)，未來(lái)有望繼續(xù)提高堆疊層數(shù)，提升存儲(chǔ)密度。在DRAM技術(shù)方面，合肥長(zhǎng)鑫等企業(yè)也有可能在制程工藝上取得新的突破，提高產(chǎn)品的性能和競(jìng)爭(zhēng)力。

2. 新型存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)

• 新型存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)被視為未來(lái)存儲(chǔ)半導(dǎo)體的發(fā)展方向。雖然目前新型存儲(chǔ)介質(zhì)產(chǎn)業(yè)尚未成熟，但國(guó)內(nèi)企業(yè)也在積極參與研究。如果國(guó)內(nèi)企業(yè)能夠在新型存儲(chǔ)介質(zhì)的產(chǎn)品路線和技術(shù)路線上取得突破，將有可能在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)中實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)。例如，率先研發(fā)出具有商業(yè)應(yīng)用價(jià)值的新型存儲(chǔ)介質(zhì)產(chǎn)品，將能夠引領(lǐng)全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展方向，從而在全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。

（三）市場(chǎng)份額提升潛力

1. 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)

• 在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)憑借本土化優(yōu)勢(shì)，如更貼近客戶需求、更快的服務(wù)響應(yīng)速度等，有較大的市場(chǎng)份額提升潛力。隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)技術(shù)水平的提高，產(chǎn)品性價(jià)比將進(jìn)一步提升，在智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)中的份額有望逐步擴(kuò)大。例如，在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場(chǎng)，由于國(guó)內(nèi)物聯(lián)網(wǎng)企業(yè)眾多，對(duì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求多樣化，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)可以通過(guò)定制化產(chǎn)品和服務(wù)來(lái)滿足客戶需求，從而提高市場(chǎng)份額。

2. 國(guó)際市場(chǎng)

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100介紹

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100是合明科技開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，專門(mén)設(shè)計(jì)用于浸沒(méi)式的清洗工藝。適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架、分立器件、功率模塊、倒裝芯片、攝像頭模組等。本品是PH中性的水基清洗劑，因此具有良好的材料兼容性。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、本品可以用去離子水稀釋后使用，稀釋后為均勻單相液，應(yīng)用過(guò)程簡(jiǎn)單方便。

2、產(chǎn)品PH值呈中性，對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無(wú)閃點(diǎn)，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于PH中性，減輕污水處理難度。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100的適用工藝：

水基清洗劑W3100適用于浸沒(méi)式的清洗工藝。

半導(dǎo)體封裝清洗劑W3100產(chǎn)品應(yīng)用：

水基清洗劑W3100是合明科技開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，適用于清洗去除半導(dǎo)體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架清洗、分立器件清洗、功率模塊清洗、倒裝芯片清洗、攝像頭模組清洗等。本產(chǎn)品PH值呈中性，對(duì)鋁、銅、鎳、塑料、標(biāo)簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。