一、半導體制造技術國產(chǎn)化的整體發(fā)展態(tài)勢

近年來，半導體制造技術國產(chǎn)化呈現(xiàn)出積極發(fā)展的態(tài)勢。一方面，在政策的大力支持下，我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境不斷優(yōu)化。例如“十三五”規(guī)劃明確提出要推進包括CMP設備在內(nèi)的集成電路專用設備關鍵核心技術的突破和應用，這為半導體制造技術國產(chǎn)化提供了政策導向和支持。另一方面，市場需求的增長也推動著國產(chǎn)化進程。中國大陸有著全球最大的芯片市場和半導體設備市場，這為本土半導體制造技術的發(fā)展提供了廣闊的空間和動力。

二、不同制造環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進展

（一）設備制造環(huán)節(jié)

1. 部分設備取得進展

• 在刻蝕設備方面，國產(chǎn)化率低于30%，但國內(nèi)企業(yè)在不斷加大研發(fā)投入，一些企業(yè)如中微公司等在刻蝕技術上已經(jīng)取得了一定的成果，其產(chǎn)品在國內(nèi)市場中也開始占據(jù)一定份額，并且技術水平不斷提升，逐步實現(xiàn)對國外同類產(chǎn)品的替代，尤其在一些特定的刻蝕工藝上已經(jīng)能夠滿足國內(nèi)晶圓廠的部分需求。

• 清洗設備的國產(chǎn)化率高于30%，國內(nèi)企業(yè)在清洗設備技術上相對成熟，能夠提供多種清洗工藝的設備，滿足國內(nèi)半導體制造企業(yè)的部分清洗需求，在國內(nèi)市場中具有一定的競爭力，并且隨著技術的進一步發(fā)展，清洗設備的國產(chǎn)化程度有望繼續(xù)提高。

2. 仍面臨挑戰(zhàn)的設備領域

• 光刻設備是半導體制造的核心設備之一，然而我國在光刻技術方面與國際先進水平存在較大差距。目前國內(nèi)最先進的光刻機是上海微電子裝備的90納米工藝光刻機，而世界領先水平是荷蘭ASML的5納米工藝極紫外光刻機（EUV），差距在10代以上。光刻設備技術難度極高，涉及到光學、精密機械、電子等多個領域的尖端技術，國內(nèi)在光源系統(tǒng)、鏡頭制造等關鍵技術上還面臨諸多技術瓶頸需要突破。

• 薄膜沉積設備國產(chǎn)化率低于20%，其中CVD設備國產(chǎn)化率為5% - 10%，PVD設備國產(chǎn)化率在10%左右。薄膜沉積設備對于制造高質量的半導體薄膜層至關重要，國內(nèi)企業(yè)在薄膜沉積設備的工藝穩(wěn)定性、沉積速率、薄膜均勻性等方面還需要進一步提升技術水平，以滿足先進半導體制造工藝的要求。

（二）材料供應環(huán)節(jié)

1. 基礎材料部分實現(xiàn)國產(chǎn)化

• 在硅晶圓方面，我國已經(jīng)有企業(yè)在大硅片材料上進行國產(chǎn)化探索并取得了一定成果。例如立昂微承擔了多項國家重大科研項目，成功實現(xiàn)半導體硅片產(chǎn)業(yè)化，并形成量產(chǎn)規(guī)模，有效提升了我國大硅片材料自主供應能力，緩解了國內(nèi)半導體大硅片的短缺問題，但全球半導體硅片尤其是大尺寸硅片90%以上的市場份額仍被海外企業(yè)所壟斷。

• 在一些特種化學品如研磨液、清洗液等方面，國內(nèi)企業(yè)通過自主研發(fā)也取得了進展。部分企業(yè)建立了產(chǎn)學研研發(fā)平臺，投入大量的人力和時間進行研發(fā)，例如有的企業(yè)研發(fā)團隊由三個博士帶領五個研究生和五個碩士，經(jīng)過三年的研發(fā)攻破了研磨液的關鍵技術問題，能夠為半導體制造過程中的硅片研磨等環(huán)節(jié)提供材料支持，但整體來看，半導體材料領域日本、美國和德國等國家的企業(yè)仍占據(jù)90%左右的市場份額，我國在材料領域的國產(chǎn)化還有很長的路要走。

2. 高端材料依賴進口情況仍較嚴重

• 在光刻膠等高端半導體材料方面，我國仍然高度依賴進口。光刻膠是光刻工藝中的關鍵材料，其性能直接影響芯片的分辨率、精度等關鍵指標。由于光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)需要高精度的化學合成技術和嚴格的生產(chǎn)環(huán)境控制，國內(nèi)企業(yè)在光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)上還處于起步階段，無法滿足國內(nèi)半導體制造企業(yè)對于高端光刻膠的需求。

（三）封裝測試環(huán)節(jié)

• 中國在封裝測試領域處于世界領先地位，占據(jù)了全球市場份額的40%左右。國內(nèi)擁有一些具有國際影響力的封測企業(yè)，如長電科技、晶方科技、華天科技等，其產(chǎn)品涵蓋了從傳統(tǒng)封裝到先進封裝的各種類型。在先進封裝技術方面，國內(nèi)企業(yè)也在不斷探索和發(fā)展，例如觸點智能在半導體芯片與模組精密封裝設備領域研發(fā)的產(chǎn)品實現(xiàn)三項全國第一：國內(nèi)首家量產(chǎn)CMOS固晶機、國內(nèi)首家量產(chǎn)COB整線、國內(nèi)首家超薄疊Die固晶機，為我國半導體封裝設備產(chǎn)業(yè)從產(chǎn)業(yè)價值鏈低端向上爬升做出了貢獻。

半導體封裝清洗劑W3100介紹

半導體封裝清洗劑W3100是合明科技開發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，專門設計用于浸沒式的清洗工藝。適用于清洗去除半導體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架、分立器件、功率模塊、倒裝芯片、攝像頭模組等。本品是PH中性的水基清洗劑，因此具有良好的材料兼容性。

半導體封裝清洗劑W3100的產(chǎn)品特點：

1、本品可以用去離子水稀釋后使用，稀釋后為均勻單相液，應用過程簡單方便。

2、產(chǎn)品PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。

3、不含鹵素，材料環(huán)保；氣味清淡，使用液無閃點，使用安全，不需要額外的防爆措施。

4、由于PH中性，減輕污水處理難度。

半導體封裝清洗劑W3100的適用工藝：

水基清洗劑W3100適用于浸沒式的清洗工藝。

半導體封裝清洗劑W3100產(chǎn)品應用：

水基清洗劑W3100是合明科技開發(fā)具有創(chuàng)新型的中性水基清洗劑，適用于清洗去除半導體電子器件上的助焊劑殘留物，如引線框架清洗、分立器件清洗、功率模塊清洗、倒裝芯片清洗、攝像頭模組清洗等。本產(chǎn)品PH值呈中性，對鋁、銅、鎳、塑料、標簽等敏感材料上顯示出極好的材料兼容性。