二、光刻膠分類：

根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、平板顯示光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低。相應(yīng)地，PCB光刻膠是目前國產(chǎn)替代進(jìn)度最快的，顯示光刻膠替代進(jìn)度相對(duì)較快，半導(dǎo)體光刻膠目前國產(chǎn)技術(shù)較國外先進(jìn)技術(shù)差距最大。

PCB光刻膠用于印刷線路板的圖案化工藝，主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠、阻焊油墨。干膜光刻膠是由配置好的液態(tài)光刻膠均勻涂抹在載體PET薄膜上，經(jīng)過烘干、冷卻后，蓋上PE薄膜，收卷而成的薄膜光刻膠。在使用時(shí)，將干膜光刻膠壓在覆銅板上，經(jīng)過曝光顯影將電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上。通過后續(xù)對(duì)覆銅板刻蝕加工，形成PCB上的線路，主要用于75-100μm制程。濕膜光刻膠又稱為感光線路油墨，分為抗電鍍油墨和抗刻蝕油墨，與干膜工序相似，材料成本比干膜要低，但是加工設(shè)備成本較高，主要用于25-75μm制程。阻焊油墨用于在線路上形成永久的絕緣保護(hù)層，防止在焊錫過程中的短路，保證PCB在運(yùn)輸、存放、使用時(shí)安全性。進(jìn)一步可以細(xì)分為UV固化阻焊油墨和液態(tài)感光阻焊油墨。前者用在對(duì)精度要求不高的PCB上，附著力較差；感光阻焊油墨則精密度較高。

顯示光刻膠用于平板顯示、顯示器、LCD彩色濾波片制作等光刻工藝中，使用的光刻膠品種根據(jù)應(yīng)用工藝不同主要分為TFT-Array光刻膠、彩色和黑色光刻膠等。TFT-Array正性光刻膠主要應(yīng)用于TFT-LCD或AMOLED制造中的Array段，包括TFT的圖案化光刻膠，保護(hù)絕緣層光刻膠，ITO圖案化光刻膠，OLED Array中平坦層光刻膠，OLED中PDL像素層光刻膠和Yocta制程光刻膠。彩色濾光片由玻璃基板、黑色矩陣、顏色層、保護(hù)層、ITO導(dǎo)電層等構(gòu)成，用于實(shí)現(xiàn)LCD面板的彩色顯示，彩色光刻膠(RGB)分為紅、綠、藍(lán)三原色光刻膠，經(jīng)過涂抹、曝光、顯影等工序組成了顏色層；黑色光刻膠則用于形成黑色矩陣(Black Matrix)，起到防止漏光的作用。

根據(jù)曝光波長的不同，目前市場上應(yīng)用較多的半導(dǎo)體光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV 5 種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高，不同的集成電路工藝在光刻中對(duì)應(yīng)使用不同波長的光源。隨著芯片制程的不斷進(jìn)步，每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)與之相匹配。g/i 線光刻膠誕生于 20 世紀(jì) 80 年代，當(dāng)時(shí)主流制程工藝在 0.8-1.2μm，適用于波長 436nm 的光刻光源。到了 90 年代，制程進(jìn)步到 0.35-0.5μm，對(duì)應(yīng)波長更短的 365nm 光源。當(dāng)制程發(fā)展到 0.35μm 以下時(shí)，g/i 線光刻膠已經(jīng)無法制程工藝的需求，于是出現(xiàn)了適用于 248nm波長光源的 KrF 光刻膠，以及193 納米波長光源的 ArF光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進(jìn)的光刻膠技術(shù)，適用波長為13.5nm的紫外光，可用于10nm以下的先進(jìn)制程，目前僅有ASML集團(tuán)掌握EUV光刻膠所對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)技術(shù)。