半導(dǎo)體制造設(shè)備系列(1)-光刻機(jī)

光刻機(jī)當(dāng)前對(duì)我國的戰(zhàn)略意義，似乎不亞于多半個(gè)世紀(jì)前原子彈的戰(zhàn)略意義。以至于網(wǎng)絡(luò)上出現(xiàn)了諸多類似于“光刻機(jī)和原子彈哪個(gè)更難造”的討論。半導(dǎo)體工藝推動(dòng)了現(xiàn)代社會(huì)的科技進(jìn)步，而光刻機(jī)則是半導(dǎo)體工業(yè)中的“皇冠”。

一、光刻機(jī)的原理：

光刻是指光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束的作用下發(fā)生化學(xué)變化，通過后續(xù)曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計(jì)在掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上的圖形精細(xì)加工技術(shù)。激光器作為光源發(fā)射光束，經(jīng)過光路調(diào)整后，光束穿透掩膜版及鏡片，經(jīng)物鏡補(bǔ)償光學(xué)誤差，將圖形曝光在帶有光刻膠的硅晶圓上，然后顯影在硅片上。

圖1. 光刻機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖

光刻行業(yè)的關(guān)鍵定理—瑞利公式：CD=k1*(λ /NA)。CD 為關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension)，λ代表光源波長(zhǎng)；k1是工藝相關(guān)參數(shù)，一般多在0.25到0.4之間；NA(Numerical Aperture)被稱作數(shù)值孔徑，是光學(xué)鏡頭的一個(gè)重要指標(biāo)，一般光刻機(jī)設(shè)備都會(huì)明確標(biāo)注該指標(biāo)的數(shù)值。為了降低 CD，實(shí)現(xiàn)更為精細(xì)的加工尺寸，有三種方式：(1) 降低光源的波長(zhǎng)λ；(2) 提高鏡頭的數(shù)值孔徑 NA；(3) 降低綜合因素 k1。

光刻機(jī)的另外一個(gè)重要參數(shù)是套刻精度(Overlay Accuracy)。其基本含義是指前后兩道光刻工序之間彼此圖形的對(duì)準(zhǔn)精度(3σ)，如果對(duì)準(zhǔn)的偏差過大，就會(huì)直接影響產(chǎn)品的良率。對(duì)于高階的光刻機(jī)，一般設(shè)備供應(yīng)商就套刻精度會(huì)提供兩個(gè)數(shù)值，一種是單機(jī)自身的兩次套刻誤差，另一種是兩臺(tái)設(shè)備（不同設(shè)備）間的套刻誤差。

二、光刻機(jī)的分類：

圖2. 光刻機(jī)發(fā)展歷程

光刻機(jī)發(fā)展至今，已經(jīng)歷了5代產(chǎn)品的迭代。在1985年之前，第一代光刻機(jī)光源以436nm的g-line汞燈光源為主，只適用于5μm以上制程；之后出現(xiàn)了365nm的i-line汞燈光源的第二代光刻機(jī)，制程精度來到了350-500nm。第一二代均為接觸/接近式光刻機(jī)。第三代為掃描投影式光刻機(jī)，光源改進(jìn)為248nm的KrF氟化氪準(zhǔn)分子深紫外光源(DUV:Deep Ultraviolet Light)，實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展，將最小工藝推進(jìn)至150-250nm；第四代為步進(jìn)式投影式光刻機(jī)，采用193nm波長(zhǎng)的ArF氟化氬準(zhǔn)分子激光光源，可實(shí)現(xiàn)制程推進(jìn)到了65-130nm，在此基礎(chǔ)上又實(shí)現(xiàn)了浸入步進(jìn)式投影式光刻機(jī)(ArFi光刻, i代表immersion)：所謂浸入技術(shù)，就是讓鏡頭和硅片之間的空間浸泡于液體之中。由于液體的折射率大于1，使得激光的實(shí)際波長(zhǎng)會(huì)大幅度縮小。目前主流采用的純凈水的折射率為1.44，所以ArF加浸入技術(shù)實(shí)際等效波長(zhǎng)=193nm/1.44=134nm，從而實(shí)現(xiàn)更高的分辨率。

按照這個(gè)發(fā)展思路，那么下面應(yīng)該就是采用波長(zhǎng)更短的準(zhǔn)分子激光器，實(shí)現(xiàn)更高分辨率?；贔2(氟)準(zhǔn)分子激光器成為了潛在選手，其波長(zhǎng)為157nm。然而F2準(zhǔn)分子激光器在疊加浸入式的時(shí)候出現(xiàn)了問題，由于在157nm波長(zhǎng)下水是不透明的液體，無法通過浸入式來進(jìn)一步降低波長(zhǎng)，因此需要尋找新的發(fā)展方向。第五代為EUV(Extreme Ultraviolet, 極紫外)光刻機(jī)，選取了新的方案來進(jìn)一步提供更短波長(zhǎng)的光源。目前主要采用的辦法是將準(zhǔn)分子激光照射在錫等靶材上，激發(fā)出13.5nm的光子，作為光刻機(jī)光源。ASML 目前其是全世界唯一一家能夠設(shè)計(jì)和制造EUV光刻機(jī)設(shè)備的廠商。

三、光刻機(jī)的產(chǎn)業(yè)鏈：

光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游核心組件及配套設(shè)備、中游光刻機(jī)生產(chǎn)及下游光刻機(jī)應(yīng)用三大環(huán)節(jié)。光刻機(jī)技術(shù)極為復(fù)雜，在所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高。主要涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密物料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)， 生產(chǎn)一臺(tái)光刻機(jī)往往涉及到上千家供應(yīng)商，比如德國的光學(xué)設(shè)備與超精密儀器，美國的計(jì)量設(shè)備與光源等， 主要組件包括雙工作臺(tái)、 光源系統(tǒng)、 曝光系統(tǒng)、浸沒系統(tǒng)、 物鏡系統(tǒng)、光柵系統(tǒng)等，配套設(shè)施包括光刻膠、掩膜版、涂膠顯影等。

圖3. 光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈

光刻機(jī)中最核心組件是光源和鏡頭。以ASML為例，其鏡頭供應(yīng)商為德國蔡司，光源供應(yīng)商為美國 Cymer(已被ASML收購）和日本 Gigaphoton，其中 EUV 光刻機(jī)光源由 Cymer 獨(dú)家供應(yīng)。

鏡頭：當(dāng)波長(zhǎng)達(dá)到EUV波段時(shí)，絕大多數(shù)材料都不具有良好的透射特性，DUV類似的透射光學(xué)系統(tǒng)將不再適用。因此EUV及以后的更短波長(zhǎng)光刻機(jī)基本都只能做反射系統(tǒng)。然而，現(xiàn)實(shí)世界中沒有任何材料可以在單層中反射大部分 EUV 光。然而多層則可以增強(qiáng)彼此的反射，于是業(yè)界探討用這種方式制作相當(dāng)高效的 EUV 反射鏡來縮小和聚焦圖像。而由鉬(部分反射 EUV 光)和硅(對(duì) EUV 大部分透明)交替納米層制成的反射鏡就成為了大家努力的方向。不過，這樣的EUV 反射鏡的制作極其復(fù)雜，因?yàn)樗鼈兊谋砻嫘枰獛缀跬昝拦饣透蓛簦總€(gè)納米層都需要具有精確定義的厚度。讓每個(gè)原子都需要在正確的位置，否則可能會(huì)丟失光或圖像可能會(huì)變形。

光源: 所謂EUV極紫外光，是指波長(zhǎng)在10-100nm范圍內(nèi)的紫外線。然而，地球上是沒有自然的EUV光源的，太陽光譜中的EUV部分會(huì)被大氣層和臭氧層完全吸收，無法到達(dá)地面，因此需要人工產(chǎn)生EUV。人工產(chǎn)生EUV主要有2個(gè)難點(diǎn)：首先，EUV 光很難以受控方式產(chǎn)生。只有多重電離原子內(nèi)殼中的激發(fā)電子才能發(fā)射 EUV。其次，EUV 光很容易被空氣和其他氣體吸收。這意味著光從產(chǎn)生的那一刻到撞擊硅片的那一刻，都必須穿過高質(zhì)量的真空。這也意味著不可能構(gòu)建“EUV 鏡頭”。相反，需要使用高度復(fù)雜的曲面反射鏡。傳統(tǒng)的光掩模也會(huì)吸收過多的光，因此它也需要具有反射性。

圖4. ASML、Nikon、Canon光刻機(jī)銷售情況

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