硅片清洗的步驟

為了解決硅片表面的污染問題,實(shí)現(xiàn)硅片表面清潔,我們需要弄清楚硅片表面有哪些污染物,然后選擇適當(dāng)?shù)墓杵逑捶椒ㄟ_(dá)到去除的目的。在硅片加工及器件制造過程中,所有與硅片接觸的外部媒介都是硅片污染物的可能來源。這主要包括以下幾方面:硅片加工成型過程中的污染,環(huán)境污染,水造成的污染,試劑帶來的污染,工業(yè)氣體造成的污染,工藝本身造成的污染,人體造成的污染等。盡管硅片沾污雜質(zhì)的來源不同,但它們通常可劃分為這幾類。

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硅片清洗一般程序：

吸附在硅片表面上的雜質(zhì)可分為分子型、離子型和原子型三種情況。其中分子型雜質(zhì)與硅片表面之間的吸附力較弱,清除這類雜質(zhì)粒子比較容易。它們多屬油脂類雜質(zhì),具有疏水性的特點(diǎn),對于清除離子型和原子型雜質(zhì)具有掩蔽作用。

因此在對硅片進(jìn)行化學(xué)清洗時(shí),首先應(yīng)該把它們清除干凈。離子型和原子型吸附的雜質(zhì)屬于化學(xué)吸附雜質(zhì),其吸附力都較強(qiáng)。

在一般情況下,原子型吸附雜質(zhì)的量較小,因此在化學(xué)清洗時(shí),先清除掉離子型吸附雜質(zhì),然后再清除殘存的離子型雜質(zhì)及原子型雜質(zhì)。

最后用高純?nèi)ルx子水將硅片沖冼干凈,再加溫烘干或甩干就可得到潔凈表面的硅片。

綜上所述,清洗硅片的一般工藝程序?yàn)?去分子→去離子→去原子→去離子水沖洗。

另外,為去除硅片表面的氧化層,常要增加一個(gè)稀氫氟酸浸泡步驟。

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