一、Chiplets有何優(yōu)勢(shì)？

AMD采用基于芯片或MCM(多芯片模塊)的方法來(lái)設(shè)計(jì)處理器。把每個(gè)Ryzen CPU看作是多個(gè)獨(dú)立的處理器，用AMD的話說(shuō)就是用超級(jí)膠水粘在一起。

一個(gè)Ryzen CCX具有4核/8核處理器，以及L3緩存。兩個(gè)CCX(帶有Zen 3的單個(gè)8核CCX)被粘在CCD上以創(chuàng)建一個(gè)芯片，這是基于Zen的Ryzen和Epyc cpu的基本構(gòu)建塊。多達(dá)8個(gè)ccd可以堆疊在單個(gè)MCM(多芯片模塊)上，允許消費(fèi)級(jí)Ryzen處理器(如Threadripper 3990X)最多64核。

這種方法有兩大優(yōu)勢(shì)。第一個(gè)優(yōu)勢(shì)是，成本或多或少與核心數(shù)量呈線性關(guān)系。由于AMD的浪費(fèi)率與其相對(duì)于最多能夠創(chuàng)建功能性4核模塊（單個(gè)CCX）有關(guān)，因此他們不必丟棄大量有缺陷的CPU。第二個(gè)優(yōu)勢(shì)來(lái)自于它們能夠利用那些有缺陷的CPU本身的能力。英特爾只是將它們淘汰了，而AMD則逐個(gè)CCX禁用了功能內(nèi)核，以實(shí)現(xiàn)不同的內(nèi)核數(shù)量。

例如，Ryzen 7 5800X和5600X都有一個(gè)8核的CCD。后者禁用了兩個(gè)核心，使其具有6個(gè)功能核心，而不是8個(gè)。當(dāng)然，這使得它能夠以比英特爾更有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格銷(xiāo)售六核部件。

但是，什么事情都有兩面性，Chiplets方法有一個(gè)很大的缺點(diǎn)：延遲。每個(gè)晶片都在單獨(dú)的物理基板上。由于物理定律，這意味著Ryzen cpu在Infinity Fabric上的通信會(huì)產(chǎn)生延遲懲罰。這在第一代Ryzen上最為明顯。因此，Infinity Fabric速度與內(nèi)存時(shí)鐘和內(nèi)存超頻相關(guān)，因此可以顯著提高CPU性能。

AMD設(shè)法通過(guò)Ryzen 3000 cpu糾正了這一點(diǎn)，然后通過(guò)新推出的Ryzen 5000系列進(jìn)一步改進(jìn)了這一點(diǎn)。前者引入了一個(gè)大型L3緩存緩沖區(qū)，稱(chēng)為"游戲緩存"。L3緩存是系統(tǒng)內(nèi)存和低級(jí)CPU核心緩存(L1和L2)之間的中介。通常情況下，消費(fèi)級(jí)處理器的L3空間很小，例如英特爾的i7 9700K就只有12 MB的L3空間。然而，AMD為3700X配備了32mb的L3內(nèi)存，而3900X配備了64mb的L3內(nèi)存。

L3緩存均勻分布在不同的核之間。增加的緩存量意味著，通過(guò)一些智能調(diào)度，內(nèi)核可以緩存更多它們需要的東西。緩沖區(qū)消除了Infinity Fabric帶來(lái)的大部分延遲損失。

Ryzen 5000 cpu更進(jìn)一步，取消了四個(gè)核心CCX，取而代之的是八個(gè)核心綜合體，每個(gè)核心直接連接到CCX/CCD上的其他核心。這改善了核間延遲、緩存延遲和帶寬，并為每個(gè)核提供了兩倍的L3緩存，顯著提高了游戲性能。

二、Chiplets，未來(lái)潮流？

作為后摩爾時(shí)代最關(guān)鍵的技術(shù)之一，Chiplets將滿足特定功能的裸片通過(guò)die-to-die內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)，多個(gè)模塊芯片與底層基礎(chǔ)芯片的系統(tǒng)封裝，實(shí)現(xiàn)新形式IP復(fù)用。在當(dāng)前技術(shù)進(jìn)展下，Chiplets方案可實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度及設(shè)計(jì)成本降低，且有利于后續(xù)產(chǎn)品迭代，加速產(chǎn)品上市周期。

在如此明顯的優(yōu)勢(shì)之下，Chiplets自然得到了眾多國(guó)際巨頭的青睞。作為AMD的老對(duì)手，Intel也在2023年發(fā)布了基于Chiplets技術(shù)的第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器和至強(qiáng)CPU Max，以及數(shù)據(jù)中心GPU Max。

據(jù)了解，至強(qiáng)CPU Max擁有56個(gè)性能核，內(nèi)核的4個(gè)小芯片使用EMIB連接，進(jìn)行自然語(yǔ)言處理時(shí)高帶寬內(nèi)存優(yōu)勢(shì)可提升20倍性能。而數(shù)據(jù)中心GPU Max是英特爾針對(duì)高性能計(jì)算加速設(shè)計(jì)的第一款GPU產(chǎn)品，一個(gè)封裝中有超過(guò)1000億個(gè)晶體管，擁有47個(gè)不同的塊和高達(dá)128GB的內(nèi)存。

在未來(lái)的幾年中，我們更可能會(huì)看到更多Chiplets方法的使用。這是因?yàn)槟柖桑ㄒ竺績(jī)赡陮⑻幚砟芰μ岣咭槐叮┮呀?jīng)全面放慢了，單個(gè)處理器內(nèi)核的速度不會(huì)每?jī)赡晏岣咭槐丁?/p>

因此，提高性能的唯一方法就是擴(kuò)展內(nèi)核和堆疊內(nèi)核，才讓近年來(lái)硬件圈仍能保持較快的發(fā)展速度。未來(lái)對(duì)Chiplets的研究，也將繼續(xù)推進(jìn)下去。

三、Chiplets芯粒-先進(jìn)芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

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