一、先進(jìn)封裝的定義：

先進(jìn)封裝本質(zhì)是提升I/O密度，核心衡量指標(biāo)為凸塊間距與凸塊密度。封裝主要起到保護(hù)和電路連接的作用，分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝。傳統(tǒng)封裝的電路連接主要依賴引線框架，先進(jìn)封裝的電路連接則主要通過凸塊（bump）完成。先進(jìn)封裝內(nèi)涵豐富，但本質(zhì)為提升I/O密度，進(jìn)而提升芯片性能。衡量I/O密度最核心的指標(biāo)為凸塊間距（BumpPitch）和凸塊密度（BumpDensity）。

根據(jù)IDTechEx定義，只有凸塊間距小于100μm的封裝才屬于先進(jìn)封裝。先進(jìn)封裝，更確切來說可以被稱為異構(gòu)集成，整個體系包含倒裝焊(FlipChip)、晶圓級封裝(WLP)、扇入/扇出、2.5D封裝（Interposer）、3D封裝(TSV)、混合鍵合、Chiplet等一系列技術(shù)與理念。在臺積電的發(fā)展路線中，倒裝>2.5D/3D>SoIC等技術(shù)路線的凸塊間距不斷縮小，凸塊密度持續(xù)提升。 

二、先進(jìn)封裝六大優(yōu)勢：

相比傳統(tǒng)封裝，先進(jìn)封裝在功能和開發(fā)方面具有下述優(yōu)勢：

（1）提高功能密度

在功能相同的情況下，先進(jìn)封裝可以減少空間占用，將更多的元件和功能集成到更小的空間內(nèi)，提高芯片的功能密度。

（2）縮短互連長度

在傳統(tǒng)封裝中，引線穿過外殼和引腳需要數(shù)十毫米甚至更長，導(dǎo)致延時和功耗問題。先進(jìn)封裝將互聯(lián)長度從毫米級縮短至微米級，使得性能和功耗得以提升。

（3）增加I/O數(shù)量

先進(jìn)封裝制造多層RDL、倒裝芯片與晶片級封裝相結(jié)合、添加硅通孔、優(yōu)化引腳布局以及使用高密度連接器等方式，可以在有限的封裝空間內(nèi)增加I/O數(shù)量。

（4）提高散熱性能

先進(jìn)封裝通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，增加芯片與散熱器之間的接觸面積，使用導(dǎo)熱性良好的材料，增加散熱器的表面積及散熱通道，改進(jìn)芯片晶體管數(shù)量不斷增加而面臨的散熱問題。

（5）實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)重構(gòu)

電子系統(tǒng)的構(gòu)建可以在芯片級和基板級進(jìn)行，通過在封裝內(nèi)部實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級封裝，可以更好地實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)重構(gòu)。

（6）提高加工效率和設(shè)計效率

先進(jìn)封裝技術(shù)可以利用現(xiàn)有的晶圓制造設(shè)備，使封裝設(shè)計與芯片設(shè)計同時進(jìn)行，縮短設(shè)計和生產(chǎn)周期，降低成本。

三、先進(jìn)封裝的市場發(fā)展趨勢

（一）先進(jìn)封裝市場占比快速提升，未來有望超越傳統(tǒng)封裝

傳統(tǒng)封裝具有性價比高、產(chǎn)品通用性強(qiáng)、使用成本低、應(yīng)用領(lǐng)域廣的優(yōu)點(diǎn)。高端消費(fèi)電子、人工智能、數(shù)據(jù)中心等快速發(fā)展的應(yīng)用領(lǐng)域大量依賴先進(jìn)封裝，先進(jìn)封裝的成長性要顯著好于傳統(tǒng)封裝。根據(jù)Yole和集微咨詢數(shù)據(jù)，預(yù)計2023年全球先進(jìn)封裝市場占比為48.8%，2026年達(dá)到50.2%。中國先進(jìn)封裝市場占比較低，但仍有較大發(fā)展?jié)摿?，預(yù)計2023年中國先進(jìn)封裝市場占比將達(dá)到39%。

（二）先進(jìn)封裝中倒裝占比最大，2.5D/3D堆疊封裝增長強(qiáng)勁

根據(jù)產(chǎn)品工藝復(fù)雜程度、封裝形式、封裝技術(shù)、封裝產(chǎn)品所用材料是否處于行業(yè)前沿，先進(jìn)封裝又細(xì)分為倒裝芯片封裝（Flip-Chip）、晶圓片級芯片規(guī)模封裝（WLCSP）、2.5D/3D堆疊封裝（2.5D/3Dstacking）、扇出型封裝（Fan-out）和嵌入式基板封裝（ED）技術(shù)。根據(jù)Yole和集微咨詢數(shù)據(jù)，各細(xì)分工藝中倒裝芯片封裝占比最大，2022年占比為76.7%。先進(jìn)封裝市場規(guī)?？傮w呈現(xiàn)上升趨勢，倒裝芯片封裝2020-2026年CAGR為6%，嵌入式基板封裝占比較小，但CAGR最高，為25%。其次是2.5D/3D堆疊封裝CAGR為24%，扇出型封裝CAGR為15%。

四、先進(jìn)封裝清洗劑介紹

芯片級封裝在nm級間距進(jìn)行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達(dá)到將殘留帶離的目的。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋先進(jìn)封裝清洗劑、半導(dǎo)體清洗、芯片清洗、PCBA電路板清洗劑、助焊劑清洗劑等電子加工過程整個領(lǐng)域。合明科技先進(jìn)封裝清洗劑產(chǎn)品包含晶圓級封裝清洗劑、SIP系統(tǒng)級封裝清洗劑、倒裝芯片清洗劑、POP堆疊芯片清洗劑等。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。