因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
IGBT 是功率器件中的“結(jié)晶”
(1)功率半導(dǎo)體根據(jù)集成度可以分為分立器件中的功率器件和集成電路IC中的功率IC兩個(gè)大類。半導(dǎo)體產(chǎn)品的分類是一個(gè)十分復(fù)雜困難的過程,國際上多種分類方法都不可能完美區(qū)分出來各種產(chǎn)品種類與規(guī)模,目前較多采用 WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(huì))的分類方法。在下圖的半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體是包含了功率器件與功率IC兩大類,功率IC相對(duì)來說集成芯片的小功率、小電壓產(chǎn)品,功率IC集成度較高,是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及保護(hù)電路等集成在同一芯片的集成電路,主要應(yīng)用于手機(jī)等小電壓產(chǎn)品。功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場規(guī)模最大,晶體管又細(xì)分為IGBT、MOSFET、雙極型晶體管等。功率器件是指體積較大,用來處理較大功率、大電壓的產(chǎn)品,IGBT屬于功率器件的一類產(chǎn)品。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是電力電子行業(yè)中的一種關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件,它被廣泛應(yīng)用于各種高電壓、大電流的場合。IGBT結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的優(yōu)點(diǎn),具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、導(dǎo)通壓降低等特點(diǎn),因此在電力電子領(lǐng)域有著極其重要的地位。以下是關(guān)于IGBT為何被視為電子電力行業(yè)“CPU”的詳細(xì)解釋:
IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成。它的結(jié)構(gòu)使得它既具有MOSFET的高輸入阻抗和快速開關(guān)特性,又具有BJT的低導(dǎo)通壓降和高電流密度優(yōu)點(diǎn)。這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使得IGBT在電力電子系統(tǒng)中能夠高效地控制和轉(zhuǎn)換電能。
IGBT作為一種功率半導(dǎo)體器件,其主要功能是在高壓和大電流條件下進(jìn)行電能的轉(zhuǎn)換和控制。它可以用于變頻、整流、變壓、功率放大和功率控制等多種應(yīng)用場合。這些功能對(duì)于電力電子系統(tǒng)來說至關(guān)重要,類似于CPU在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的核心作用。
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,涵蓋了消費(fèi)電子、工業(yè)控制、新能源、智能電網(wǎng)等多個(gè)行業(yè)。不同電壓等級(jí)的IGBT被應(yīng)用于不同的領(lǐng)域,例如超低壓IGBT用于消費(fèi)電子,低壓IGBT用于電動(dòng)汽車和智能家電,中壓IGBT用于軌道交通和新能源發(fā)電,高壓IGBT用于軌道牽引和智能電網(wǎng)。這種廣泛應(yīng)用使得IGBT成為電力電子行業(yè)中不可或缺的元件。
IGBT的技術(shù)發(fā)展經(jīng)歷了多個(gè)階段,從最初的PT穿通、NPT非穿通到FS場截止,柵極結(jié)構(gòu)也從平面發(fā)展到Trench溝槽,再到第七代的精細(xì)Trench溝槽。隨著技術(shù)的進(jìn)步,IGBT的芯片面積、工藝線寬、通態(tài)功耗、關(guān)斷時(shí)間、開關(guān)功耗等參數(shù)不斷優(yōu)化,斷態(tài)電壓也從第一代的600V提升到第七代的7000V。這種持續(xù)的技術(shù)演進(jìn)使得IGBT在電力電子系統(tǒng)中的性能不斷提升,類似于CPU在計(jì)算能力上的不斷進(jìn)步。
全球IGBT市場規(guī)模在2022年有望達(dá)到57億美元,中國市場主要應(yīng)用在新能源汽車、工控和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。海外大廠如英飛凌在IGBT市場占有率上處于領(lǐng)先地位,而中國企業(yè)如斯達(dá)半導(dǎo)也在不斷提升自身的市場份額和技術(shù)水平。這種市場規(guī)模和技術(shù)競爭格局表明IGBT在電力電子行業(yè)中的重要地位。
IGBT器件在過流、短路、過壓等異常情況下,如果不能及時(shí)保護(hù),可能會(huì)在微秒級(jí)別內(nèi)導(dǎo)致?lián)p壞,造成電力變換系統(tǒng)的停機(jī)事故。因此,IGBT模塊通常集成了保護(hù)電路,以提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。這種保護(hù)功能類似于CPU中的錯(cuò)誤檢測和糾正機(jī)制,確保系統(tǒng)在異常情況下仍能安全運(yùn)行。
IGBT的驅(qū)動(dòng)和控制電路相對(duì)復(fù)雜,需要精確的電壓和電流控制,以確保其在各種工作條件下的穩(wěn)定性和效率。這種驅(qū)動(dòng)和控制電路的設(shè)計(jì)和優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),類似于CPU在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的指令執(zhí)行和數(shù)據(jù)處理過程。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
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綜上所述,IGBT作為電力電子行業(yè)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件,因其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、功能強(qiáng)大、應(yīng)用廣泛、技術(shù)演進(jìn)迅速、市場規(guī)模龐大、保護(hù)功能完善以及驅(qū)動(dòng)與控制復(fù)雜等特點(diǎn),被譽(yù)為電子電力行業(yè)的“CPU”。它在電力電子系統(tǒng)中的核心作用和重要地位,使其成為推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用的關(guān)鍵因素。