功率半導(dǎo)體IGBT模塊的12道封裝工藝

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電等領(lǐng)域。其封裝工藝的優(yōu)劣直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命。以下是根據(jù)搜索結(jié)果詳細(xì)介紹的IGBT模塊的12道封裝工藝：

1. 絲網(wǎng)印刷

絲網(wǎng)印刷是將錫膏按設(shè)定圖形印刷于散熱底板和DBC銅板表面的過(guò)程。這一過(guò)程為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備，印刷效果的好壞直接影響到后續(xù)貼片的質(zhì)量。

2. 自動(dòng)貼片

自動(dòng)貼片是將IGBT芯片與FRED芯片貼裝于DBC印刷錫膏表面的過(guò)程。這個(gè)過(guò)程需要高精度的貼片機(jī)，以確保貼片的良率和效率。貼片機(jī)需要具備高速、高頻、高精力控等特點(diǎn)，以滿足IGBT芯片的精密貼裝需求。

3. 真空回流焊接

真空回流焊接是將完成貼片的DBC半成品置于真空爐內(nèi)進(jìn)行回流焊接的過(guò)程。高質(zhì)量的焊接技術(shù)是生產(chǎn)高可靠性IGBT模塊的關(guān)鍵。真空回流焊接技術(shù)可以在焊接過(guò)程中排除氣體，減少焊點(diǎn)內(nèi)部的氣泡和空洞，從而提高焊點(diǎn)的可靠性。

4. 超聲波清洗

超聲波清洗是通過(guò)清洗劑對(duì)焊接完成后的DBC半成品進(jìn)行清洗，以保證IGBT芯片表面潔凈度滿足鍵合打線要求的過(guò)程。這一過(guò)程可以有效去除焊錫膏和其他污染物，確保后續(xù)鍵合工序的順利進(jìn)行。

5. X-RAY缺陷檢測(cè)

X-RAY缺陷檢測(cè)是通過(guò)X光檢測(cè)篩選出空洞大小符合標(biāo)準(zhǔn)的半成品，防止不良品流入下一道工序的過(guò)程。這一過(guò)程可以有效發(fā)現(xiàn)焊點(diǎn)內(nèi)部的缺陷，如氣泡和空洞，從而確保IGBT模塊的高質(zhì)量。

6. 鍵合

鍵合是將IGBT芯片與引線框架通過(guò)金屬線連接起來(lái)的過(guò)程。這一過(guò)程通常采用超聲波鍵合技術(shù)，通過(guò)超聲波振動(dòng)將金屬線與芯片和引線框架牢固地連接在一起。鍵合質(zhì)量的好壞直接影響到IGBT模塊的電氣性能和可靠性。

7. 灌膠及固化

灌膠及固化是將IGBT芯片和引線框架封裝在塑料外殼中，并通過(guò)加熱固化的過(guò)程。這一過(guò)程可以保護(hù)IGBT芯片免受外界環(huán)境的影響，提高其耐高溫和耐潮濕性能。固化過(guò)程需要在特定的溫度和時(shí)間內(nèi)進(jìn)行，以確保封裝材料的完全固化。

8. 成型

成型是將封裝好的IGBT模塊進(jìn)行塑封，使其形成最終的形狀和尺寸的過(guò)程。這一過(guò)程通常采用注塑成型技術(shù)，通過(guò)模具將封裝材料注入并形成所需的形狀。成型過(guò)程需要精確控制模具的溫度和壓力，以確保IGBT模塊的尺寸精度和外觀質(zhì)量。

9. 測(cè)試

測(cè)試是對(duì)IGBT模塊進(jìn)行全面電氣性能測(cè)試的過(guò)程。這一過(guò)程包括對(duì)IGBT模塊的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)速度、絕緣耐壓等參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，以確保其符合設(shè)計(jì)要求和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。測(cè)試過(guò)程需要使用專業(yè)的測(cè)試設(shè)備和方法，以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。

10. 打標(biāo)

打標(biāo)是將IGBT模塊的型號(hào)、批次號(hào)、生產(chǎn)日期等信息打印在模塊表面的過(guò)程。這一過(guò)程可以為后續(xù)的追溯和管理提供方便，確保IGBT模塊在使用過(guò)程中的可追溯性和安全性。

11. 老化篩選

老化篩選是將IGBT模塊在高溫、高壓等惡劣條件下進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的老化測(cè)試，以篩選出潛在的故障和缺陷的過(guò)程。這一過(guò)程可以有效提高IGBT模塊的可靠性和使用壽命，確保其在實(shí)際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和安全性。

12. 包裝

包裝是將經(jīng)過(guò)老化篩選合格的IGBT模塊進(jìn)行包裝，準(zhǔn)備出廠的過(guò)程。這一過(guò)程需要確保IGBT模塊在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中的安全和完好，通常采用防靜電、防潮的包裝材料和方法。

綜上所述，IGBT模塊的封裝工藝是一個(gè)復(fù)雜且精密的過(guò)程，涉及到多個(gè)環(huán)節(jié)和工序。每一個(gè)環(huán)節(jié)都需要嚴(yán)格控制和精確操作，以確保IGBT模塊的高性能、高可靠性和長(zhǎng)壽命。通過(guò)對(duì)IGBT模塊封裝工藝的不斷優(yōu)化和改進(jìn)，可以進(jìn)一步提高其在各種應(yīng)用領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)占有率。

車規(guī)級(jí)IGBT芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。