晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝

晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging, WLP）是半導(dǎo)體封裝技術(shù)中的一種先進(jìn)方法，它在晶圓切割成單獨(dú)的芯片之前進(jìn)行封裝。這種技術(shù)的主要特點(diǎn)是能夠顯著減小封裝尺寸，降低生產(chǎn)成本，并提高生產(chǎn)效率。晶圓級(jí)封裝技術(shù)包括扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-Out WLCSP）、重新分配層（RDL）封裝、倒片（Flip Chip）封裝以及硅通孔（TSV）封裝等。以下是晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝的詳細(xì)介紹：

1. 光刻（Photolithography）工藝

光刻工藝是晶圓級(jí)封裝中至關(guān)重要的一步，主要用于在晶圓上繪制電路圖案。該工藝涉及在晶圓上涂覆一層光敏聚合物（光刻膠），然后通過(guò)掩模將所需的圖案投射到晶圓表面的光刻膠上。光刻膠在曝光后會(huì)硬化，從而形成所需的電路圖案。光刻工藝的步驟包括：

• 涂覆光刻膠：將光刻膠涂覆在晶圓上，常用的方法有旋涂（Spin Coating）、薄膜層壓（Film Lamination）和噴涂（Spray Coating）。

• 前烘（Soft Baking）：去除光刻膠中的溶劑，確保光刻膠保留在晶圓上且維持其原本厚度。

• 曝光：通過(guò)掩模將圖案投射到晶圓表面的光刻膠上。

• 顯影（Development）：使用顯影液溶解因光刻工藝而軟化的光刻膠，形成所需的電路圖案。

光刻工藝在晶圓級(jí)封裝中的應(yīng)用主要包括在絕緣層上繪制圖案，進(jìn)而使用繪制圖案來(lái)創(chuàng)建電鍍層，并通過(guò)刻蝕擴(kuò)散層來(lái)形成金屬線路。

2. 濺射（Sputtering）工藝

濺射工藝是一種薄膜沉積技術(shù)，用于在晶圓表面形成金屬薄膜。這些金屬薄膜在晶圓級(jí)封裝中起到多種作用，包括增強(qiáng)晶圓粘合性的黏附層、在電鍍過(guò)程中提供電子的載流層，以及具有焊料潤(rùn)濕性并阻止鍍層和金屬之間形成化合物的擴(kuò)散阻擋層。濺射工藝的基本步驟包括：

• 真空環(huán)境準(zhǔn)備：在真空環(huán)境中，將靶材（通常是金屬）安裝到濺射設(shè)備中。

• 濺射氣體引入：引入濺射氣體（如氬氣），并在高壓電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生等離子體。

• 薄膜沉積：等離子體中的離子轟擊靶材，使其原子濺射出來(lái)并沉積在晶圓表面，形成均勻的金屬薄膜。

濺射工藝在晶圓級(jí)封裝中的應(yīng)用主要包括形成凸點(diǎn)下金屬層（UBM, Under Bump Metallurgy），該金屬層通常由兩層或三層金屬薄膜組成。

3. 電鍍（Electroplating）工藝

電鍍工藝是晶圓級(jí)封裝中形成金屬線路的關(guān)鍵步驟。該工藝涉及在晶圓表面涂覆光刻膠，通過(guò)光刻工藝?yán)L制圖案，然后利用電鍍形成一層厚的金屬層。電鍍工藝的基本步驟包括：

• 涂覆光刻膠：在晶圓表面涂覆光刻膠，并通過(guò)光刻工藝?yán)L制圖案。

• 電鍍：將晶圓浸入電鍍液中，在電流的作用下，金屬離子從電鍍液中還原并在晶圓表面形成金屬層。

• 后處理：包括光刻膠去膠（PR Striping）和金屬刻蝕（Metal Etching）等步驟，以去除多余的光刻膠和金屬層，形成所需的金屬線路。

電鍍工藝在晶圓級(jí)封裝中的應(yīng)用主要包括形成扇入型WLCSP的引線、重新分配層封裝中的焊盤再分布，以及倒片封裝中的凸點(diǎn)。

4. 光刻膠去膠（PR Striping）工藝

光刻膠去膠工藝是晶圓級(jí)封裝中去除多余光刻膠的關(guān)鍵步驟。該工藝通常在電鍍工藝之后進(jìn)行，目的是去除晶圓表面的光刻膠，以便后續(xù)的金屬刻蝕工藝能夠順利進(jìn)行。光刻膠去膠工藝的基本步驟包括：

• 去膠液選擇：選擇合適的去膠液，以確保能夠有效溶解光刻膠而不損害晶圓表面的金屬層。

• 去膠液應(yīng)用：將去膠液應(yīng)用到晶圓表面，常用的方法有浸泡、噴淋等。

• 去膠液去除：通過(guò)清洗等步驟去除晶圓表面的去膠液和溶解的光刻膠。

光刻膠去膠工藝在晶圓級(jí)封裝中的應(yīng)用主要包括去除電鍍工藝后多余的光刻膠，以便后續(xù)的金屬刻蝕工藝能夠順利進(jìn)行。

5. 金屬刻蝕（Metal Etching）工藝

金屬刻蝕工藝是晶圓級(jí)封裝中形成金屬線路的最后一道工序。該工藝涉及使用化學(xué)刻蝕或等離子體刻蝕等方法，去除晶圓表面多余的金屬層，形成所需的金屬線路。金屬刻蝕工藝的基本步驟包括：

• 掩模制備：在晶圓表面涂覆光刻膠，并通過(guò)光刻工藝?yán)L制圖案，形成掩模。

• 刻蝕：使用化學(xué)刻蝕或等離子體刻蝕等方法，去除掩模之外的金屬層。

• 后處理：包括清洗等步驟，以去除晶圓表面的殘留物，形成干凈的金屬線路。

金屬刻蝕工藝在晶圓級(jí)封裝中的應(yīng)用主要包括形成扇入型WLCSP的引線、重新分配層封裝中的焊盤再分布，以及倒片封裝中的凸點(diǎn)。

先進(jìn)芯片封裝清洗介紹

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

結(jié)論

晶圓級(jí)封裝技術(shù)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，它通過(guò)在晶圓切割前進(jìn)行封裝，實(shí)現(xiàn)了封裝尺寸的顯著減小和生產(chǎn)成本的降低。晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝——光刻工藝、濺射工藝、電鍍工藝、光刻膠去膠工藝和金屬刻蝕工藝——在晶圓級(jí)封裝的制造過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。這些工藝的精確控制和高效執(zhí)行，是確保晶圓級(jí)封裝產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓級(jí)封裝技術(shù)將繼續(xù)在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。