英特爾Foveros互連技術(shù)詳細(xì)介紹

1. Foveros技術(shù)概述

Foveros是英特爾開(kāi)發(fā)的一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它的主要特點(diǎn)是能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的3D堆疊，從而在垂直方向上集成多個(gè)功能模塊。這種技術(shù)的出現(xiàn)主要是為了解決隨著芯片功能日益復(fù)雜，單片式系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的設(shè)計(jì)和制造難度不斷增加，成本也隨之上升的問(wèn)題。Foveros技術(shù)通過(guò)高密度、高帶寬、低功耗的互連，使得采用不同制程工藝制造的多個(gè)模組可以組合成一個(gè)大型的分離式模塊架構(gòu)組成的芯片復(fù)合體。

2. Foveros技術(shù)的工作原理

Foveros技術(shù)的工作原理相對(duì)復(fù)雜，它涉及到芯片的切割、分選、測(cè)試、組裝等多個(gè)步驟。首先，從晶圓廠收到的內(nèi)部和外部代工廠的晶圓會(huì)被切割成單個(gè)芯片。然后，這些芯片會(huì)經(jīng)過(guò)分選和Diet測(cè)試，以確保只有高質(zhì)量的芯片才能進(jìn)入Foveros組裝階段。接下來(lái)，這些高質(zhì)量的芯片會(huì)在基板晶圓上進(jìn)行組裝，形成一個(gè)由多個(gè)模塊組成的芯片復(fù)合體。最后，這個(gè)芯片復(fù)合體會(huì)在BGA基板面上進(jìn)行封裝組裝。

3. Foveros技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

Foveros技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于它能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的3D堆疊，從而在垂直方向上集成多個(gè)功能模塊。這種技術(shù)可以大大提高芯片的集成度，使得在一個(gè)單一的封裝中可以集成更多的功能單元。此外，F(xiàn)overos技術(shù)還可以滿(mǎn)足不同供應(yīng)商、不同工藝打造的芯粒（Chiplet）的異構(gòu)集成需求，使得這些不同的芯?？梢愿玫貐f(xié)同工作，提高靈活性和性能，降低成本和功耗。

4. Foveros技術(shù)的應(yīng)用

Foveros技術(shù)最早被應(yīng)用于Lakefield處理器，目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各類(lèi)產(chǎn)品中，例如PonteVecchio GPU加速器就是使用了Foveros技術(shù)。此外，F(xiàn)overos技術(shù)也被應(yīng)用于Meteor Lake芯片，這款芯片是首款采用Intel 4制程工藝打造的計(jì)算模塊，它包含了提供大電容的圖形模塊、使用Foveros 36x間距晶片間互連的SoC模塊以及采用Intel 4制程工藝打造的計(jì)算模塊。

5. Foveros技術(shù)的發(fā)展歷程

Foveros技術(shù)的發(fā)展歷程可以追溯到2018年，當(dāng)時(shí)英特爾首次公開(kāi)介紹了這項(xiàng)技術(shù)。隨后在2019年，英特爾在Computex展會(huì)上展示了采用Foveros技術(shù)的Lakefield處理器。到了2020年，英特爾宣布將在未來(lái)的Meteor Lake芯片中采用Foveros技術(shù)。而在2023年，英特爾在ON技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)上正式推出了采用Foveros技術(shù)的Meteor Lake芯片。

6. Foveros技術(shù)的未來(lái)展望

Foveros技術(shù)的未來(lái)展望非常廣闊，英特爾計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)進(jìn)一步優(yōu)化和發(fā)展這項(xiàng)技術(shù)。例如，英特爾正在開(kāi)發(fā)下一代的Foveros Omni技術(shù)，這種技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)垂直層面上大芯片、小芯片組合的互連，并將凸點(diǎn)間距繼續(xù)縮小到25微米。此外，英特爾還在開(kāi)發(fā)Foveros Direct技術(shù)，這種技術(shù)使用銅與銅的混合鍵合，取代會(huì)影響數(shù)據(jù)傳輸速度的焊接，把凸點(diǎn)間距繼續(xù)縮小到10微米以下，從而大幅提高芯片互連密度和帶寬，并降低電阻。

先進(jìn)芯片封裝清洗介紹

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿(mǎn)足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

總結(jié)

總的來(lái)說(shuō)，F(xiàn)overos技術(shù)是英特爾的一項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，它通過(guò)3D堆疊的方式大大提高了芯片的集成度和性能，同時(shí)也降低了成本和功耗。隨著這項(xiàng)技術(shù)的不斷發(fā)展，我們有理由相信它將在未來(lái)的芯片設(shè)計(jì)中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。